半导体封装制程和设备材料知识简介.pptVIP

半导体封装制程与设备材料知识简介 PrepareBy：WilliamGuo 2007.11Update ;半导体封装制程概述;半 导 体 制 程;封 裝 型 式 (PACKAGE);封 裝 型 式 ;封 裝 型 式 ;封 裝 型 式 ;封 裝 型 式 ;封 裝 型 式 ;Assembly Main Process;;;常用术语介绍;;SMT（表面贴装） ---包括锡膏印刷(Solder paste printing),置件(Chip shooting),回流焊(Reflow),DI水清洗(DI water cleaning),自动光学检查(Automatic optical inspection),使贴片零件牢固焊接在substrate上;Die Prepare(芯片预处理) To Grind the wafer to target thickness then separate to single chip ---包括来片目检(Wafer Incoming), 贴膜(Wafer Tape),磨片(Back Grind),剥膜(Detape),贴片(Wafer Mount),切割(Wafer Saw)等系列工序,使芯片达到工艺所要求的形状,厚度和尺寸,并经过芯片目检(DVI)检测出所有由于芯片生产,分类或处理不当造成的废品.; Inline Grinding Polish -- Accretech PG300RM ;2.Grinding 相关材料 A TAPE麦拉 B Grinding 砂轮 C WAFER CASSETTLE;工艺对TAPE麦拉的要求：;工艺对麦拉的要求：;3.Grinding 辅助设备 A Wafer Thickness Measurement 厚度测量仪 一般有接触式和非接触式光学测量仪两种； B Wafer roughness Measurement 粗糙度测量仪 主要为光学反射式粗糙度测量方式；;4.Grinding 配套设备 A Taping 贴膜机 B Detaping 揭膜机 C Wafer Mounter 贴膜机; Wafer Taping -- Nitto DR300II;;l??Wafer mount;晶 圓 切 割 (Dicing);Main Sections Introduction;Blade Close-View;Die Sawing – Disco 6361 ;A Few Concepts;晶 圓 切 割 (Dicing);Wmax , Wmin , Lmax , DDY ,DY ; ??????? 切割時之轉速予切速: a.?????? 轉速 : 指的是切割刀自身的轉速 b.????? 切速: 指的是Wafer移動速度.;晶 圓 切 割 (Dicing);切割刀的規格 規格就包括 刀刃長度、刀刃寬度、鑽石顆粒大小 、濃度及Nickel bond hardness 軟硬度的選擇;Saw blade 对製程的影響 ? Proper Cut Depth Into Tape (切入膠膜的理想深度 ); 切割刀的影響 ? Diamond Grit Size (鑽石顆粒大小);TAPE 粘度对SAW製程的影響 ? Mounting Tape (膠膜黏力 );晶 圓 切 割 (Dicing);Die Attach(芯片粘贴) To attach single die to SMTed substrate ---把芯片粘贴到已经过表面贴装(SMT)和预烘烤(Pre-bake)后的基片上,或芯片粘贴到芯片???,并经过芯片粘贴后烘烤(Die Attach Cure)固化粘结剂.;上片 (Die Bond);Die Attach – Hitachi DB700 ;上片 (Die Bond);上片 (Die Bond);Substrate ;Substrate Basic Information;;上片 (Die Bond);B Curing Oven 无氧化烤箱 主要控制要素： N2 流量；排气量； profile 温度曲线； 每箱摆放Magazine 数量；;C Wafer mapping 应用;Wire Bond(引线键合) Die to Package Interconnects How a die is connected to the package or board. ---用金线将芯片上的引线孔和基片上的引脚连接，使芯片能与外部电路相连。在引线键合前需要经过等离子清洗(Pre-B