3第3章载流子的统计分布-精选课件(公开).pptVIP

前言 第3章半导体中载流子的统计分布 对处在一定温度下某一确定的半导体材料，如何确定半导体的载流子数目以及它随温度的变化规律 主要内容 §3-1热平衡状态及电子在量子态上的分布 §3-2导带电子浓度和价带空穴浓度 §3-3本征激发的载流子浓度 §3-4杂质半导体的载流子浓度 §3-5一般情况半导体的载流子浓度 §3-6简并半导体 §3-1热平衡状态及电子在量子态上的分布 1．热平衡状态 载流子的热产生过程 载流子的复合过程 热平衡状态：产生复合两个相反过程之间将建立起动态平衡，称之为热平衡状态 这种热平衡是一种动态平衡：载流子的产生速率等于它们的复合速率。电子浓度和空穴浓度保持不变。 电子浓度和空穴浓度：分别指半导体中单位体积内的电子和空穴数目 2．导带和价带的状态密度 状态密度g(E)： 描述能带中电子状态的分布，它表示单位体积单位能量间隔(能量E附近)内的量子态数。 导带底的状态密度gc(E) 价带顶状态密度 gv(E) 导带底的状态密度gc(E)为 价带顶状态密度gv(E)为 3．电子在量子态上的分布 (1)电子占据能级的几率： 在绝对温度为T的热平衡电子系统中，能量为E的一个量子态被电子占据的几率为f(E) 费米分布函数 费米分布函数 空穴占据能级的几率 (2)空穴占据能级的几率： [1-f(E)]表示能级E未被电子占据的几率，即能级E被空穴占据的