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CVD法制备硫化钼薄膜 实验目的。 （1）掌握CVD的基本原理； （2）熟悉管式炉的操作过程； （3）制备硫化钼薄膜； 二、实验原理。 气相反应物中生长晶体的复相物理-化学过程。 第一步：气体传输至沉积区域。 第二步：膜前驱体的形成与输运。 第三步：膜前驱体的粘附与扩散。 第四步：表面反应，导致膜沉积于副产物的形成。 第五步：副产物的移除（表面和反应腔）。 三、实验步骤。 （1）称量。分别取足量的硫粉，称取约5mg的MoCl5于陶瓷舟中，并取干净的蓝宝石片。 （2）放置前驱体。将装有硫粉的陶瓷舟摆放于距进气口约15cm处，装有MoCl5的陶瓷舟置于管式炉中心位置，盛有蓝宝石的石英舟紧挨着MoCl5摆放于出气口一侧。 （3）清洗。抽真空，并通入氩气清洗管式炉，反复两次。 （4）设置参数。设置好管式炉参数。27min升温至850℃，并保温12min，然后自然冷却。加热带温度为120℃。气流量为50sccm。炉压保持在60Pa。 （5）反应。管式炉工作后12min，加热带开始给硫加热。 （6）实验结束。管式炉程序终止时关闭加热带电源。自然冷却至常温后，打开放气阀，并取出样品。 四、思考题。 （1）CVD反应的控制要点有哪些？ ①温度与反应速率的限制：温度升高，表面反应速度增加，过程中速率最慢的环节决定整个沉积过程的速度。 ②气压：常压下，CVD速率不会超过主气体流质量传输速率-质量传输限