分子束外延ppt课件说课讲解.pptVIP

2.4.1分子束外延 2.4.2原子束外延 2.4.3离子束外延;——最常用的外延方法。即在衬底表面造成生长物原子的过饱和，驱使气相中的生长物原子并入固相，在衬底表面外延生长出晶体薄膜。气相外延的温度通常远低于同种材料块状晶体的生长温度，生长时的过饱和度与块状晶体相比也比较低，这导致外延生长的速率一般情况下远低于块状晶体的生长速率。这一特点决定了其为薄膜制备手段的应用。;薄膜的外延生长;外延的基本物理过程;2.表面动力学;表面过程;;生长机制;同质与异质外延生长;异质外延的生长模式;分子束外延Molecular beam epitaxy, MBE ;起源与发展;MBE生长原理及方法;MBE设备结构;生长室结构;MBE生长经典范例;;MBE生长的特点;;存在问题;化学束外延;化学气相外延;金属有机气相外延（MOVPE）——MOCVD;原子束外延（ALE）;液相外延（LPE）;固相外延;作业：;在真空蒸镀基础上发展起来的MBE技术，能够在单晶衬底上制备厚度仅为原子层量级的高纯完整单晶薄膜。在超真空(10Pa)系统中加热各种原料，使不同原料的蒸气以一定的束流比例喷射到单晶衬底表面，与表面相互作用进行外延生长。每一种原料蒸气由一个独立的快门控制束流。精确控制各原料的束流比例、衬底温度和生长时间就可以得到不同的组分和层厚，从而可以制备出超晶格等XT微结构材料。它的原理类似于多源反应共蒸