第章第五章结型场效应体管结型场效应晶体管和金属半导体.PDFVIP

第第五章章 结型场效应结型场效应晶体管体管和 金属金属半导体场效应晶体管半导体场效应晶体管 一、名名词 术术语 概念概念 问问题 场效应场效应：利用电场使半导体电导改变的效应利用电场使半导体电导改变的效应。 单极器件(unipolar devices)：主要靠一种载流子传输电 流的器件流的器件 沟道夹断：栅结空间电荷区完全扩展进沟道，以至于导电 沟道完全被耗尽自由载流子的耗尽区所充满的现象沟道完全被耗尽自由载流子的耗尽区所充满的现象。。沟道沟道 夹断首先发生在漏端（x＝L处）（夹断点）。随着栅偏压 或漏电压的增加夹断点向源端移动或漏电压的增加夹断点向源端移动。。 夹断电压：形成沟道夹断时的外加电压（ V ）。 P VV 内夹断电压内夹断电压：沟道夹断时的总电压沟道夹断时的总电压 （（P 0 ））。 漏极导纳：漏极电流对漏极电压的变化率，它反映了JFET 的输出特性的输出特性。 跨导：漏极电流对栅极电压的变化率，它反映了JFET的转 移特性移特性 栅极总电容栅极总电容：在栅在栅PNPN结在反偏压下的结电容结在反偏压下的结电容 kε C 2ZL 0 GG W kε 在 V 0，并处于夹断条件时，栅电容为 C 4ZL 0 G G aa 截止频率：JFET不能再放大输入信号（当通过输入电容的 电流与输出的漏极电流相等时，达到增益为1）时的最高频 率。 沟道长度调制效应沟道长度调制效应：夹断条件规定为两个空间电荷区在沟夹断条件规定为两个空间电荷区在沟 道中心相遇。当漏极电压进一步增加时，沟道中更多的自 由载流子耗尽由载流子耗尽。结果是耗尽区的长度增加结果是耗尽区的长度增加，电中性的沟道电中性的沟道 长度减小。这种现象称为沟道长度调制效应。在沟道中心， 外加漏极电压这时由耗尽区和电中性区分摊外加漏极电压这时由耗尽区和电中性区分摊，由电中性的由电中性的 V V −V P D P 沟道区承受电压 ，并由耗尽的沟道区承受电压 由于被减短的电中性沟道长度承受着同样的由于被减短的电中性沟道长度承受着同样的 VV ，，因而因而，，对对 PP 于夹断后的任何漏极电压，都会使漏极电流略有增加。由 于这个原因，夹断后的漏极电流不是饱和的，且漏极电阻 为有为有限。 画出结构示意图，简述JFET得工作原理（图5.1a、b两图任 画画一个即可个即可））： 答：采用标准的平面外延工艺制成的理想 JFET 示于图5-1a + P + 中。下边的重掺杂 层为衬底。在 P