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1.4.3 桥堆(二) 2.桥堆或半桥堆的故障及检测 桥堆或半桥堆的常见故障有:开路故障和击穿故障。 检测原理:检测桥堆或半桥堆中的每一个二极管的正、反向电阻。若其中的每一个二极管都具有单向导电性,则该桥堆是好的,否则桥堆已损坏。 1.4 半导体分立元件——桥堆 上一级 1.4.4 晶体三极管(一) 晶体三极管由两个PN结、三根电极引线以及外壳封装构成的。三极管除具有放大作用外,还能起电子开关、控制等作用,是电子电路与电子设备中广泛使用的基本元件。 1.4 半导体分立元件——三极管 上一级 常用三极管的外形和电路符号 1.4 半导体分立元件——三极管 1.4.4 晶体三极管(二) 1.三极管的分类 (1)按材料来分 (2)按结构来分 (3)按功率来分 (4)按工作频率来分 (5)按用途来分 1.4 半导体分立元件——三极管 上一级 1.4.4 晶体三极管(三) 2.外观判别三极管的极性 1.4 半导体分立元件——三极管 金属封装三极管的引脚判断 上一级 1.4.4 晶体三极管(四) 其它封装三极管的引脚判断 1.4 半导体分立元件——三极管 塑料封装三极管的引脚判断 上一级 1.4.4 晶体三极管(五) 3.万用表检测三极管的引脚极性及管型 (1)先判断基极B及三极管管型 (2)然后区分集电极C和发射极E 1.4 半导体分立元件——三极管 (a)NPN管 (b)PNP管 图 区分三极管集电极C和发射极E的测试电路 上一级 1.4.4 晶体三极管(六) 3.三极管好坏的检测 用万用表测量三极管两个PN结的正、反向电阻的大小,根据测量结果,判断三极管的好坏。 三极管常见故障现象 击穿 断路 性能差 1.4 半导体分立元件——三极管 上一级 1.4.5 场效应管FET(一) 场效应管FET是一种利用电场效应来控制多数载流子运动的半导体器件。场效应管具有输入电阻高( ),热稳定性好,噪声低,抗辐射能力强,成本低和易于集成等特点,因此被广泛应用于数字电路、通讯设备及大规模集成电路中。 1.4 半导体分立元件——场效应管 上一级 1.4.5 场效应管FET(二) 1.场效应管的分类 根据结构分类 根据极性分类 1.4 半导体分立元件——场效应管 (a)N沟通结型场效应管 (b)P沟通结型场效应管 (c)NMOS管 (d)PMOS管 图 场效应管的电路符号示意图 上一级 1.5 集成电路(一) 集成电路的分类及命名方法 集成电路的引脚识别 集成电路使用注意事项 常用集成电路芯片介绍 集成电路的检测方法 1.5 集成电路 1.5 集成电路(二) 集成电路IC是将半导体分立器件、电阻、小电容以及导线集成在一块硅片上,形成一个具有一定功能的电子电路,并封装成一个整体的电子器件。 与分立元件相比,集成电路具有体积小、重量轻、性能好、可靠性高、损耗小、成本低、外接元器件数目少、整体性能好、便于安装调试等优点。 1.5 集成电路 1.5.1 集成电路的分类及命名方法 1.集成电路的分类 (1)按传送信号的特点来分 (2)按有源器件分类 (3)按集成度分类 (4)按封装形式分 (5)按集成电路的功能来分 1.5 集成电路——分类及命名方法 上一级 国产集成电路的命名方法 1.5 集成电路——分类及命名方法 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 用字母表示器件的符号 用字母表示器件的类型 用数字表示器件的系列和品种代号 用字母表示器件的工作温度(0C) 用字母表示器件的封装 形式 符号 意义 符号 意义 符号 意义 符号 意义 C 中国制造 T TTL集成电路 C 0 ~ +75 W 陶瓷扁平封装 H HTL集成电路 E -40 ~ +85 B 塑料扁平封装 E ECL集成电路 R -55 ~ +85 F 全密封扁平封装 C CMOS集成电路 M -55 ~ +125 P 塑料直插封装 P PMOS集成电路 D 陶瓷直插封装 N NMOS集成电路 T 金属壳圆形封装 F 线性放大器集成电路 D 音响、电视集成电路 W 集成稳压电路 J 接口电路 B 非线性集成电路 M 存储器 I IIL集成电路 μ 微处理器 常见集成电路的外形结构 1.5 集成电路——分类及命名方法 1.5.2 集成电路的引脚识别(一) (a)圆形金属封装集成电路的引脚排列 (b)双列扁平陶瓷封装或双列直插式
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