YS/T 1167-2016硅单晶腐蚀片.pdf

ICS29.045 H 82 中华人民共和国有色金属行业标准 / — YST1167 2016 硅 单 晶 腐 蚀 片 Monocrstallinesiliconetchedwafers y ㅤㅤㅤㅤ 2016-07-11发布 2017-01-01实施 中华人民共和国工业和信息化部 发 布 / — YST1167 2016 硅 单 晶 腐 蚀 片 1 范围 、 、 、 、 、 、 、 本标准规定了硅单晶腐蚀片的牌号及分类 要求 试验方法 检验规则以及标志 包装 运输 贮存 ( ) 。 质量证明书和订货单 或合同 内容 、 ( ) 本标准适用于直拉法 悬浮区熔法 包括区熔中子嬗变和气相掺杂 制备的硅单晶研磨片经化学腐 ( )。 、 蚀液去除表面损伤层后制备的酸腐蚀片和碱腐蚀片 以下简称腐蚀片 产品主要用于制作晶体管 整 、 、 。 流管 特大功率晶闸管 光电器件等半导体元器件或进一步加工成硅抛光片 2 规范性引用文件 。 , 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 凡是注日期的引用文件 仅注日期的版本适用于本文 。 , ( ) 。 件 凡是不注日期的引用文件 其最新版本 包括所有的修改单 适用于本文件 / 非本征半导体材料导电类型测试方法 GBT1550 / 半导体单晶晶向测定方法 GBT1555 / 计数抽样检验程序 第 部分 按接收质量限( )检索的逐批检验抽样计划 GBT2828.1 1 AQL / 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻率测试方法 非接触涡流法 GBT6616 ㅤㅤㅤㅤ / 硅片厚度和总厚度变化测试方法 GBT6618 / 硅片翘曲度非接触式测试方法 GBT6620 / 硅片径向电阻率变化的测量方法 GBT11073 / 硅单晶 GBT12962 /