第三章 组合逻辑的实现.docVIP

第三章 组合逻辑的实现 组合逻辑有各种实现方法。继电器，磁性材料，半导体元件等。这里主要说明半导体器件的实现。半导体器件随着制造工艺的进步而发展。先后有双极器件（由锗和硅npn，pnp晶体管组成，即，TTL逻辑），MOS（金属氧化物半导体）工艺（包括nMOS，pMOS，CMOS），现在发展到双极和CMOS组成的混合电路（BiCMOS—双极-CMOS）。 半导体有双极半导体和MOS-FET。而且，后者的优点尤其明显，是现代半导体技术的主流。 一．主要技术指标 半导体门电路 半导体 门电路 IN OUT 1．直流参数 输出参数： 输出高电压Voh，以最小值min表示；在给定标准输入和负载条件下的最坏输出电压。 输出低电压Vol，以最大值max表示，在给定标准输入和负载条件下的最坏输出电压。 输出高电平电流Ioh，以mA（或者uA）表示；在给定标准输入电压下，保证输出高电平不低于最小值时，能给出的最大负载电流。 输出低电平电流Iol，以mA表示。在给定标准输入电压下，保证输出低电平不低于最大值时，能给出的最大负载电流。 输入参数 输入高电压Vih，以最小值min表示，在该电压下，器件可稳定地判定为‘高电平’，并可以输出给定的驱动电流； 输入低电压Vil，以最大值max表示，在该电压下，器件可稳定地判定为‘低电平’， 并可以输出给定的驱