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1. 能带图 (1) M-S(n型), WmWs n型阻挡层 (2) M-S(n型) , WmWs n型反阻挡层 (3) M-S(p型) , WmWs p型阻挡层 (4) M-S(p型) , Wm Ws p型反阻挡层 P型半导体的价带电子向金属一侧转移 （对阻挡层而言） 金属与半导体接触可以形成阻挡层（肖特基势垒Schottky Barrier）与反阻挡层，前者具有与p-n结相似的整流特性，而后者具有欧姆特性。 （1）加正电压（金属接“+”） 2. 整流特性 势垒高度随外加正电压的增加而降低,因此由半导体流向金属的净电子流增加. 金-半接触前 金-半接触后平衡时 金-半接触后非平衡时 净电流=0 （2）加反向电压（金属接“－”） 势垒高度随外加反电压的增加而身升高,因而从半导体到金属的电子减少,反向电流变大，主要由金属到半导体的电子流构成。 反向电流：jm-s-js-m 反向电压继续增大，致使js-m近似为零，反向电流趋于饱和。 其中，jm-s恒定不变 3.肖特基势垒二极管 (1) 结构 光刻产生的陡削的边沿 Si-SiO2界面存在正固定电荷 拐角处有过量的电流 (2)与p-n结二极管的比较 主要特点是: 1.SDB是多数载流子器件,而p-n结二极管电流取决于非平衡少数载流子的扩散运动. 2. p-n结二极管中,少数载流子注入造成非平衡载流子在势垒区两侧界面的积累,外加电压变化,电荷积累和消失需有一弛豫过程(电荷存储效应),严重影响了p-n结二极管的高频性能.SDB器件不发生电荷存储现象,使得它在高频、高速器件中有重要作用。 3.SDB的正向开启电压比p-n的低；而反向饱和电流比p-n的大。这是因为多数载流子电流远高于少数载流子电流。SDB中通常存在额外的漏电流。 4.欧姆接触（Ohmic Contact） 由于表面态的影响，不能通过选择金属的功函数来实现欧姆接触（理论上说，WmWns 或 WmWps可形成反阻挡层）。 在生产实际中，主要是利用隧道效应的原理在半导体上制造欧姆接触。采用重掺杂半导体与金属接触。 从电学上讲，理想的欧姆接触的接触电阻应当很小，同时还应具有线性的和对称的电流—电压关系。 WmWs WmWs WmWs （2）欧姆接触的实现 用重掺杂的半导体与金属接触 尤其在超高频和大功率器件中，欧姆接触是设计和制造的关键问题之一 * * * 对于突变结： * 耗尽层近似条件成立 正偏下： 其中 : 对于线性缓变结： ——扩散电容 (2) 扩散电容 也称电荷存储电容（charge storage capacitance ） 同理： 那么， 显然， CT与CD都与p-n结的面积A成正比，且随外加电压而变化。 （3）总电容 p-n结的总电容为两者之和： 大正向偏置p-n结时，以CD为主，Cj≈CD 小正向偏置或反向偏置p-n结时， 以CT为主，Cj≈CT 影响p-n结伏-安特性的主要因素： 产生偏差的原因： （1）正向小电压时忽略了势垒区的复合电流；正向大电压时忽略了扩散区的漂移电流和体电阻上的压降。 （2）在反向偏置时忽略了势垒区的产生电流。 三.p-n结的异常特性 1.p-n结I-V特性的非理想因素 空间电荷区的复合电流（正向） 注入p+-n结的n侧的空穴及其所造成的电子分布 大注入 （正向） 扩散区产生内建电场 空间电荷区的产生电流 （反向） 势垒区由热激发通过复合中心产生的电子-空穴对来不及复合就被强电场驱走了， 存在净产生。 势垒区的复合影响 大注入影响 势垒区的产生影响 2. p-n结的击穿(Berakdown) 在反向偏置下，当反向电压很大时， p-n结的反向电流突然增加，从而破坏了p-n结的整流特性-- p-n结的击穿。 禁带宽度较窄的半导体易发生这种击穿. p-n结中的电场随着反向电压的增加而增加，少数载流子通过反向扩散进入势垒区时获得的动能也就越来越大，当载流子的动能大到一定数值后，与中性原子碰撞时，可以把中性原子的价电子激发到导带，形成电子-空穴对——碰撞电离。 (1)雪崩击穿(Avalanche berakdown) 连锁反应，使载流子的数量倍增式的急剧增多，因而p-n结的反向电流也急剧增大，形成了雪崩击穿。 影响雪崩击穿电压的主要因素： 1.掺杂浓度: 掺杂浓度大,击穿电压小。 2.禁带宽度: 禁带宽度越宽,击穿电压越大。 3.温 度: 温度升高,击穿电压增大。 正温度系数 但，杂质浓度很高—势垒区宽度小—不易完成载流子加速过程—不利于雪崩倍增 禁带宽度大—碰撞电离产生电子-空穴对所需能量大—不利于雪崩倍增 温度升高—晶格振动散射增加—电子、空穴获得的能量易损失—不利于雪崩倍增效应 杂