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* 3.5 ELP测定 工程 测量项目 G绝缘膜 (G-SiNx) G-SiNx膜厚 DIPR (3层CVD后) G-SiNx、a-Si、n+ a-Si三层膜厚 C-PR (PA-SiNx) PA-SiNx膜厚 检查装置：Elipsometer（ELP） 表6 膜厚check项目 * 检测原理： 光线经过透明薄膜表面进行反射时，由于光线在薄膜上下表面均产生反射，因此反射光产生光程差Δ（图1所示）。当入射光为线偏光时，反射光为椭偏光。根据光线反射前后偏振状态的改变，可以测量薄膜的光学参数和膜厚，这种方法叫做Ellipsometry法（椭圆偏光解析法）。 入射光 反射光1 反射光2 * 工程 测量项目 G-PR G层Mo-Al金属膜厚 DIPR D层Cr金属膜厚、沟道干刻量 C-PR PA SiNx膜厚、G层SiNx膜厚、 PIPR PI层ITO膜厚 检查装置：段差测定装置（DAN） 测量原理： 具体采用探针接触式方法进行测量。 3.6 段差测定 表7 段差check项目 Gate Etching 剥离完了 ShortOpen缺陷检出 O/S check Ｏ／Ｓ check 自动外观检查 Laser Repair （Short） Laser CVD （Open） G-Open G-Com short 实例：用于G极断路和短路的检查 3.7 O/S测定 * AC 200V 200KHz Sensor GAP 100μm±30μm C容量　 数10fF 給電側 受電側 AMP Glass基板 pattern 完全非接触的测量方法 可以避免玻璃表面的划伤 信号増幅 3,000～10,000倍 图19 O/S装置测定原理图 * * 图20 O/S装置构成 目的：测量ＴＦＴ像素特性的測定装置 ?Sheet内的点（ＴＥＧ像素） ? ? ? 測定Point ? ? ? ? ? ? ［Ａ］ ［Ｖ］ ０　　 　　　Ｖｇ 1E-10 1E-７ Gate端子 Probe Drain端子 Pixel 基板 3.8 特性检测 * * 谢 谢！ * * * * TFT-LCD阵列工艺介绍 * 主要内容 一、TFT-LCD的基本构造 二、 ARRAY工艺简介 三、 阵列检查介绍 * 一、TFT-LCD的基本构造 图1 TFT-LCD液晶显示屏的构造 * 图2 液晶盒的构造 一、TFT-LCD的基本构造 * 二、ARRAY工艺介绍 2.1 阵列基板的构造和功能 2.2 阵列基板的制造原理 2.3 阵列基板的制造工艺流程 * 2.1 阵列基板的构造和功能 图3 ARRAY基板等效电路图 * Gate Driver Source Driver 图4 Array面板信号传输说明 2.1 阵列基板的构造和功能 * 2.1 阵列基板的构造和功能 图5 ARRAY基板的构造 DRAIN端子 TFT部分 栅极（GATE） 漏极（DRAIN） 源极（SOURCE) * 图6 TFT器件的基本构造 GATE G-SiNx a-Si n+ a-Si DRAIN SOURCE P-SiNx ITO像素电极 GLASS 接触孔 G工程 I 工程 D工程 C工程 PI工程 2.1 阵列基板的构造和功能 * 当Vg≤Vth时 Ids=0 当VgVth且VdsVg-Vth时 Ids=(W/L)?μC0{(Vg-Vth)Vds-Vds2/2} 当VgVth且VdsVg-Vth时 Ids=(W/L)?μC0(Vg-Vth)2/2 式中，Vth:阈值电压 μ：电子迁移率 C0: 单位面积栅绝缘层电容 Vg Vd Vs Ids 2.1 阵列基板的构造和功能 * 2.2 阵列基板的制造原理 ARRAY工程由成膜工程、PR工程和刻蚀工程反复进行4次或5次完成。 4次：4MASK工艺 5次：5MASK工艺 图7 TFT的制造原理 成膜工程（ＳＰ ｏｒ ＣＶＤ） ＰＲ工程（涂布、曝光、显像） 刻蚀工程（ＤＥ ｏｒ ＷＥ） ＰＲ剥离 * 工艺名称 工艺目的 溅射（SPUTTER) 成Al膜、Cr膜和ITO膜 P-CVD 成a-Si膜、n+a-Si膜和SiNx膜 PR?曝光 形成光刻胶图案 湿刻（WE) 刻蚀掉未被光刻胶掩蔽的金属膜 干刻（DE) 刻蚀掉未被光刻胶掩蔽的非金属膜 剥离 去掉残余的光刻胶 2.2 阵列基板的制造原理 表1 阵列各工程的说明 * 图8 初始放电和自续放电示意图 阳极（+） 阴极（-） E 电子 气体离子 气体分子 初期电子 所谓Sputter是指利用借助电场加速的气体离子