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8.1 半導体の基礎知識(半导体的基础知识)
8.2 半導体ダイオード (半导体二极管)
8.3 直流安定化電源の構成(直流稳压电源的组成)
8.4 整流回路 (整流电路)
8.5 平滑回路 (滤波电路)
8.6 安定化回路(稳压电路)
8.7 サイリスタ(晶闸管)
8.8 サイリスタ混合ブリッジ回路(半控桥整流电路);一、真性半導体(本征半导体);二、不純物半導体(杂质半导体);二、不純物半導体(杂质半导体);三、P-N接合(PN 结);二種の多数キャリアの濃度の違いにより(多子的浓度差);2、P-N接合の特性ーー整流性(单向导电性) ;順方向にバイアス時;一、普通ダイオード;2、V- I 特性(伏安特性);温度が上昇すると、曲線が左に移動する。;実際特性、近似特性と理想特性; U; [例8.2.1] 下図の回路において、DA、DBともにシリコン?ダイオードの場合、次の二つの条件下のおけるVFを求めよ:
(1)VA=VB=3V;(2)VA=3V,VB =0V;u/V;u/V;*二、フォトダイオード(光电二极管);*四、フォトカプラー?フォトアイソレータ
(光电耦合器、光电隔离器);直流安定化電源の構成
(直流稳压电源的组成);定義:;+;+;uD3,uD1;u2;ダイオードブリッジ(整流桥块);一、コンデンサ平滑回路(电容滤波电路);1、動作原理;;二、チョークコイル平滑回路(电感滤波电路);三、π形平滑回路(复式滤波电路); [例8.5.1] 電圧平滑用のコンデンサをもつ単相ブリッジ回路において、電源の周波数 f = 50 Hz、負荷抵抗 RL= 100 ?、U2 = 25 Vとした時、次の問題に答えよ。(1)整流ダイオードを選択せよ;(2)コンデンサを選択せよ;(3) 出力側の直流平均電圧UOが次の各値になると想定した時、回路の状態を判断せよ。 (a) UO = 30V; (b) UO = 22.5 V; (c) UO = 25 V; (d) UO = 11.25 V; (e) UO = 35.35 V。;[解](1); ;2、主な特性;一、定電圧ダイオード(稳压二极管);4、電圧安定化の原理; [例8.6.1] 定電圧ダイオードDZ1 とDZ2の降伏電圧をそれぞれ 4.5 V、 9.5 Vとし、順方向導通電圧を全部0.5 Vとした場合、次の各回路の出力電圧UOを求めよ。;[解](a)∵Ui=18V (UZ1+UZ2)=4.5+9.5=14 V
∴DZ1 とDZ2 が逆方向降伏状態となり、出力電圧Uo
を安定させることができる。;1、三端子レギュレータの種類;2、電圧安定化回路の接続図(稳压电路接线图);2、電圧安定化回路の接続図(稳压电路接线图);正、負両電源を出力できる回路の接続図
(同时输出正负两组电压接线图);一、普通のサイリスタ (普通晶闸管);(1) uG≤0の時(遮断状態にあるまま)、
uA 0、uA<0、いずれの場合でも、サイリスタが遮断されることになる。 ;(4)導通状態から遮断状態へ
の操作条件;3、サイリスターの主なパラメータ;*二、双方向サイリスタ(双向晶闸管);一、単相全波混合ブリッジ整流回路(半控桥整流电路);二、単相全波混合ブリッジ整流回路の動作原理;1、出力直流電圧;4、サイリスタ電流の実効値; [例11.2.1] 単相全波混合ブリッジ整流回路において、抵抗性負荷RL(10Ω)に給電し、負荷の両端電圧UOを40 ~ 120 V の範囲で調節できるようにした場合、(1) U2を求めよ; (2)制御角 ?の範囲を定めよ;(3)? が60oの時のゲート電圧 ug と uo の波形を描けよ。;(3);+4;戻り;面接触式ダイオードの写真;発光ダイオードの写真;戻り;第8と11章
終わり
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