模拟电子技术应用的基础.ppt

* * UGS(V) UP ID 0 IDSS b). 转移特性曲线 UDD RG UGG IG=0 ID IS UDS UGS + + - - c). 恒流区电流方程: IDSS —— 饱和漏电流 UP —— 夹断电压 * * 1.4.3 场效应管的主要参数 一.直流参数 1. 开启电压UGS(th)：对增强型MOS管，当UDS为定值时，使iD刚好大于0时对应的UGS值。 2. 夹断电压UGS(off) （或UP）：对耗尽型MOS管或JFET ，当UDS为定值时，使iD刚好大于0时对应的UGS值。 3. 饱和漏极电流IDSS：对耗尽型MOS管或JFET ，UGS=0时对应的漏极电流。 4. 直流输入电阻RGS：对于结型场效应三极管，RGS大于107Ω， MOS管的RGS大于109Ω， 。 * * 二.交流参数 1. 低频跨导gm：低频跨导反映了uGS对iD的控制作用。gm可以在转移特性曲线上求得。 2. 极间电容： Cgs和Cgd约为1~3pF，和 Cds约为0.1~1pF。高频应用时，应考虑极间电容的影响。 3. 输出电阻rd： * * 三. 极限参数 1. 大漏极电流IDM：管子正常工作时漏极电流的上限值。 2. 击穿电压U(BR) DS、 U(BR) GS：管子漏-源、栅-源击穿电压。 3. 最大耗散功率 PDM ：决定于管子允许的温升。 * * §1.4.4 场效应管与晶体管的比较 场效应管的漏极d 、栅极g和源极s分别对应晶体管的集电极c、基极b和发射极e，其作用类似。 场效应管以栅-源电压控制漏极电流，是电压控制型器件，且只有多子参与导电，是单极性晶体管；三极管以基极电流控制集电极电流，是电流控制型器件，晶体管内既有多子又有少子参与导电，是双极型晶体管。 场效应管的输入电阻远大于晶体管的输入电阻，其温度稳定性好、抗辐射能力强、噪声系数小。 * * 场效应管的漏极和源极可以互换，而互换后特性变化不大；晶体管的集电极和发射极互换后特性相差很大，只有在特殊情况下才互换使用。但要注意的是，场效应管的某些产品在出厂时，已将衬底和源极连接在一起，此时，漏极和源极不可以互换使用。 场效应管的种类多，栅-源电压可正、可负，使用更灵活。 场效应管集成工艺更简单、功耗小、工作电源电压范围宽，使之更多地应用于大规模和超大规模集成电路中 一般情况下，由晶体管构成的放大电路具有更高的电压放大倍数和输出功率。 * * 第一章作业： 自测题二（1~3）； 习题：1.1（1-2） 、1.2 、1.3、1.4、1.6、1.9、1.10、1.11。 * * * * * * * * * * * * * * * * * * 例3: 在图示电路中,设b =60 ; UCC=15V;RC=5KW,在给出的三组条件下,求UCE并分别说明晶体管工作在何种状态。 ①解： 此时BJT工作于饱和状态UCE＝ UCES≈0 RB UBB IB IC IE UCE UBE + + - - 15V 5KW * * ② 解： 此时BJT工作于放大状态 RB UBB IB IC IE UCE UBE + + - - 15V 5KW * * ③解： 所以此时晶体管处于截止状态。 BE结电压：反偏 CB结电压：反偏 RB UBB IB IC IE UCE UBE + + - - 15V 5KW * * 一.电流放大系数 同一型号的晶体管，?值也有很大差别。一般放大器采用?值为30~80的晶体管为宜。 UCE(V) IC(mA) IB5 IB4 IB3 IB2 iB = IB1 iB=0 DIB DIC UCEQ 1. 共射电流放大系数 共射直流电流放大系数 共射交流电流放大系数 ? 由于实际曲线接近于平行等距 §1.3.4 BJT的主要参数 * * 2. 共基极电流放大系数 共基极交流电流放大系数α 共基极直流电流放大系数 一般情况下 ， 同时， 可以不加区分。 * * 二.极间反向电流 (a) 反向饱和电流 ICBO (b) 穿透电流 ICEO ICBO是发射极开路时，集—基反向饱和电流。通常希望ICBO越小越好。在温度稳定性方面，硅管比锗管好。 ICEO是基极开路时，从集电极直接穿透三极管到达发射极的电流。 ICBO ICEO * * (1) 集电极最大允许电流ICM 三. 极限参数 0 UCE IC U(BR)CEO （NPN） ICM 安全工作区 UCEIC=PCM 过 损 耗 区 集电极电流 IC 超过一定值时，?值要下降，当?降到原来值的2/3时，对应的IC记为ICM 。 (2)