集成电路制造要求.ppt

淀积一层介电层在晶圆上 第二层金属光刻与刻蚀类似于第一层金属光刻与刻蚀的方法。 利用光刻技术及活性离子刻蚀技术制作通孔(Via),作为两金属层之间连接的孔道，之后去掉光刻胶。 Metal2的形成 沉积第二层金属膜在晶圆上，利用光刻技术制作出第二层金属的屏蔽，接着刻蚀出第二层金属连接结构。 * * 多晶硅、金属层和钨塞的显微照片 多晶硅 金属层 钨塞 Mag. 17,000 X * * 互连层 * * 用钝化层覆盖芯片 在所有的金属层形成之后，随后生长顶层氮化硅。这一层氮化硅称为钝化层。其目的是保护芯片免受潮气、划伤以及沾污的影响。利用压焊块掩膜刻蚀出压焊块，实现芯片与外界的电连接。 Bonding pad structure. 3.2.3 BiCMOS工艺 20世纪80年代初，用户提出了在普通衬底上兼有模拟和数字系统的混合信号电路的要求。 典型的混合信号集成电路包含90%~95%的数字电路和5%~10%的模拟电路。 CMOS逻辑的封装密度比双极逻辑大，功耗小。 BiCOMS工艺基于CMOS工艺流程，增加了双极晶体管、高薄层多晶硅电阻及其他特殊器件。 本质特征 BiCMOS工艺比较复杂，至少需要15块掩膜版，特殊情况甚至高达30块。 典型的BiCOMS工艺为标准的CMOS流程，并增加了少量步骤用于构造合适的双极型晶体管。 缺点：增加了芯片的成本，延长了制造时间，降低了工艺产量