高等无机合成第9章CVD在无机合成与材料制备中.pptVIP

图中的炉体部分目前已旋转了一个90。变成立式炉的装置，其工作原理仍然相同。这一工艺中的一个关键因素是必须保证不同位置(即图中炉内的气流前后位置)的衬底上都能得到很均匀厚度的沉积层。 热壁LPCVD装置示意图 3.4等离子体增强CVD装置（PECVD） 通过等离子体增强使CVD技术的沉积温度可以下降几百度．甚至有时可以在室温的衬底上得到CVD薄膜。 以下是几种PECVD装置 3.5 履带式常压CVD装置 适应集成电路的规模化生产，同时利用硅烷，磷烷和氧在400摄氏度时会很快反应生成磷硅玻璃。 这一装置也可以用于低温氧化硅薄膜等。 3.6模块式多室CVD装置 制造集成电路的硅片往往需要沉积多层薄膜，例如沉积 两层膜或沉积TiN和金属钨薄膜。 3.7桶罐式CVD装置 对于硬质合金刀具的表面涂层常采用这一类装置。它的优点是与合金刀具衬底的形状关系不大，各类刀具都可以同时沉积，而且容器很大，一次就可以装上千件的数量。 3.8砷化镓（AsGa）外延生长装置 从上面一些装置中可以看出CVD装置是多种多样的，往往根据反应，工艺和产物的具体要求而变化。例如砷化镓的CVD外延生长装置必须根据实际反应中既有气体源又有固体源的情况专门设计。 * CVD在无机合成与材料制备中的应用与相关理论 一、化学气相沉积的简短历史回顾 二、化学气相沉淀的技术原