固体物理学第十章固体光吸收与光发射.pptVIP

从上式可以推出 如果有一电磁场，且能量很高，即能量为 使得粒子数从能级 0向能级 2跃迁足够多，以致达到稳 态时， ，那么在建立起新的平衡态下， （10-96） 进一步得到 时， ，一般 或 当 时，粒子数反转在1和2之间；当 时，粒子数反转在0和1之间。 （7）半导体激光器 对于半导体的高掺杂p-n结，同样可以设法使受激 发射大于受激吸收，从而得到光受激发射的放大， 产生激光。高掺杂p-n结本征势垒很高，使得n型 半导体导带低比p型半导体价带顶还要低，如图示。 加上正向偏置电压V，V～ 时，能够注入足够大 的电流，即向p-n结区注入大量电子和空穴，就能够 在结区形成粒子数（电子数）反转分布（(EF)-上的 粒子数大于(EF)+ 上的粒子数），出现“激活区”。 偶然自发发射一个光子，光子不断地感应出更 多的完全相同的光子，结果就获得放大，发出激光。 半导体p-n结受激发射（能带）原理图（a）零偏置 （b） 加上正向偏置电压V 半导体激光器按发光部位有同质结和异质结之分： 由同一种材料制成的半导体激光器，例如GaAs 单晶掺Zn杂质制备出的半导体激光器称为同质结激 光器，在温度77K时发出0.843 ?m波长的激光。