物质结构基础分析.ppt

例3：下列两类化合物熔点(℃)如下： NaF NaCl NaBr NaI 993 801 747 661 SiF4 SiCl4 SiBr4 SiI4 -90.2 -70 5.4 120.5 说明:①为什么钠的卤化物的熔点总是比硅的卤化物的熔点高? ②为什么钠的卤化物的熔点的递变规律与硅的卤化物不一致? ①钠的卤化物是离子晶体,硅的卤化物是分子晶体。所以钠的卤化物的熔点总是比硅的卤化物的熔点高。 ②离子晶体的熔点随离子半径的增大而降低；分子晶体的熔点随分子量的增大而升高。 例4：下列几种元素之间可以形成哪些二元化合物：Si、C、O、H？各举一例，写出它们的化学式或分子式，预测其熔点高低，简述理由。 SiO2 SiC H2O SiH4 CH4 CO 晶体类型 原子晶体 分 子 晶 体 熔 点 很高 较高 很 低 解： 因为结 合力是 共价键 分 子 间 力 氢键 六、过渡型晶体(混合键型) 石墨具有导电性；石墨在层平面上可以错位滑动，因此具有片状解理的特性，可作固体润滑剂。 晶格结点之间存在两种或两种以上的结合力。 石墨：C：sp2杂化形成层状架构，剩余一个p轨道互相平行形成大π健。大π健中的电子可以在整个平面内离域运动。 共价键、金属键、分子间力。 七、晶体缺陷 点缺陷：晶体的某些点阵点未被原应占有的粒子所占有或非点阵点上被物质粒子所占有。 晶体中点缺陷示意图 面缺陷：线缺陷在平行位置上的扩展就形成面缺陷。 体缺陷：在晶体结构中存在着空洞或包裹了杂质。 线缺陷：出现线状位置的短缺或错乱。 晶体中线缺陷示意图 n型半导体 p型半导体 思考：人们一般都想获得高纯度的晶体，如作为半导体材料的单晶硅。但晶体中的杂质是否都是有害的？ 也称为非计量式化合物; 当晶体中存在大量缺陷或大量杂质时，就形成非整比化合物。 某一原子过多或短缺： Zn1+?O、 Fe1－?O等 层状晶体层间嵌入某些离子、原子或分子，也称插层化合物：Li?TiS2 材料领域：YBa2Cu3O7-δ，高温超导材料 Zn1+?O：红色，半导体材料 ZnS(AgCl) ?：彩电蓝色荧光粉 Li?TiS2：锂电池电解质 八、非整比化合物 本章小结 原子结构 微观离子的波粒二象性：Bohr理论跃迁辐射波长的计算；德布罗意波长的计算；波函数的物理意义; 薛定谔方程的形式; 四个量子数：取值、意义、轨道符号; 原子轨道ψ与电子云ψ2的角度分布图像：s、p、d轨道角度图像、区别与用途; 多电子原子的核外电子排布规律：Pauling近似能级图、徐光宪公式、电子排布3原则、Hund规则特例、电子排布式与电子轨道图； 本章小结 原子结构 能级分组与元素电子排布的周期性：前36号元素；周期、族、元素名称、符号、电子排布式、价层电子构型； 元素性质的变化规律：原子半径、电离能、最高氧化值及元素电负性在同一周期中或同一族中都按一定的规律变化。 本章小结 共价键与分子结构 价键理论：共价键的特点、分类(σ键和π键)、键参数； 杂化轨道理论：杂化类型(sp、sp2、sp3)与分子空间构型、等性与不等性杂化、杂化方式的判断； 分子的极性：极性的量度； 分子间作用力：类型、氢键、对物质性质的影响。 晶体结构 晶体的宏观与微观特征：晶胞的概念 离子键与离子晶体：离子的特征、离子键强弱、离子晶体的3种代表类型(配位数、空隙类型)； 简单了解金属晶体、原子晶体、分子晶体、过渡晶体； 晶体性质的定性比较：溶沸点、硬度； 了解晶体的缺陷。 本章小结 课后作业 课后作业： 1，2，3，4，5，6，8，10，12，13，14，15，16，17，18，19 即除标有*和?的题目外，其余都做。 本节课到此，下次课时间：11月2日，星期二，9：50 * 量子化学领域：原子价的新概念nxcπ 结构规则和分子的周期律、同系线性规律的量子化学基础，稀土化合物的电子结构特征 稀土分离：“串级萃取理论” 《物 质 结 构》：国家优秀教材特等奖 * 冰与氨水中的氢键 饱和性与方向性：一个H形成一个氢键；氢键的键角为平角（180O），除非其它外力有较大影响时，才会改变方向； 氢键的组成：表示为X—H----Y的形式，X、Y都是半径小、电负性高的原子(如F、O、N等) ，并且Y原子还要有孤电子对； 氢键的键长：是指X和Y间的距离(X—H----Y)，H与Y间的距离比范德华半径之和小、比共价半径之和大。 (2) 氢键的特点 氢键的强度