集成电路设计基础第四章CMOS集成电路的制造.pptVIP

形成第一层金属 淀积金属层，如Al-Si、Al-Si-Cu合金等 光刻第一层金属版，定义出连线图形 反应离子刻蚀金属层，形成互连图形 形成穿通接触孔 化学气相淀积PETEOS 通过化学机械抛光进行平坦化 光刻穿通接触孔版 反应离子刻蚀绝缘层，形成穿通接触孔 形成第二层金属 淀积金属层，如Al-Si、Al-Si-Cu合金等 光刻第二层金属版，定义出连线图形 反应离子刻蚀，形成第二层金属互连图形 测试、封装，完成集成电路的制造工艺 压焊块结构 集成电路封装工艺流程 各种封装类型 示意图 集成电路工艺小结 前工序 图形转换技术：主要包括光刻、刻蚀等技术 薄膜制备技术：主要包括外延、氧化、化学气相淀积、物理气相淀积(如溅射、蒸发) 等 掺杂技术：主要包括扩散和离子注入等技术 集成电路工艺小结 后工序 划片 封装 测试 老化 筛选 集成电路工艺小结 辅助工序 超净厂房技术 超纯水、高纯气体制备技术 光刻掩膜版制备技术 材料准备技术 4.4 设计规则 拓扑设计规则（DR）是指导版图掩膜设计的对几何尺寸的一组规定。 一组设计规则规定了最小尺寸，线间距离以及其他几何量的数值，它们是根据各自工艺线的局限制定的。 这两个量在设计规则中列出它们的数值；违反这两个数值可能导致设计失败。 用下标来表示相关的层 设计规则随工艺进步而改变。一个硅工厂允许设计者提供一组比较简单设计规则，这些规则可以很容易的