第二章____集成电路制造工艺_.pptVIP

1、扩散 概念：扩散是微观粒子热运动的统计结果，是指杂质从浓度高的地方向浓度低的地方运动的过程。 2、离子注入 概念：离子注入是将具有很高能量的带电杂质离子射入半导体衬底中的掺杂技术。 第四节 CMOS工艺流程与直流模型 一、P 阱 CMOS工艺主要流程 1、P 阱 CMOS晶体管的截面图： NMOS栅极 PMOS栅极 2、P 阱 CMOS晶体管的工艺流程 （1）定义P 阱 （图2.7(a)） 1#掩膜版 （2）确定有源区 2#掩膜版 （3）确定多晶硅栅 3#掩膜版 （4）PMOS管源漏区形成 4#掩膜版 （5）NMOS管源漏区形成 5#掩膜版 （6）引线孔 6#掩膜版 （7）铝引线形成 7#掩膜版 二、MOS晶体管的直流模型 1、MOS场效应晶体管Shichman-Hodges模型 （1）模型要求 ①直流模型，要表示器件在直流及低频下工作时，端电压和电流之间的数学函数关系。 ②以设计参数和工艺参数为参量，并在很宽的几何尺寸、工艺参数以及工作条件范围内，精确地预示实验特性。 （2）低频MOS场效应晶体管模型 ? 低频MOS场效应晶体管模型(续) ? 3μm, CMOS典型工艺参数 2、模型的意义 建立了工艺参数，电学参数，几何设计参数三者之间的关系，是版图设计的基础。 即，对于给定的工艺（工艺参数已知），根据晶体管在电路电所起的作用（电学参数的要求），可以求出掩膜板的几何参数（即设计参数）。 第五节 集成电路的设计规划 1、概念：集成电路设计规划通常指的是版图设计规划，即几何设计规划，它是集成电路设计和工艺制备之间的接口，是电路设计人员必须遵从的设计约束条件。 2、制定设计规划的目的（意义）：使芯片尺寸在尽可能小的前提下，避免线条宽度偏差和不同层掩膜版套准偏差可能带来的问题，尽可能提高电路成品率。 3、内容：在考虑器件正常工作的条件下，根据实际工艺水平（包括光刻水平、刻蚀能力、对准容差等）和成品率的要求，给出一组同一工艺层及不同工艺层之间几何尺寸的限制，主要包括线宽、间距、覆盖、露头、凹口、面积等规则，分别给出它们的最小值，以防止掩膜图形的断裂、连接和一些不良物理效应的出现。 4、设计规则表示方法 （1）以λ为单位的设计规则。 （2）以微米为单位的设计规则。 * * 教学目的和要求： 1、了解集成电路制造的过程和典型工艺流程。 2、了解集成电路制造过程中的关键技术及概念。 3、理解集成电路设计规则及其意义，初步认识集成电路工艺水平对集成电路发展的影响。 第二章 集成电路制造工艺 第一节 概述 意义： 1、了解集成电路制造的基本过程的常识 2、为了得到最佳集成电路设计所需要的灵活性，有必要在工艺和制造技术方面有很好的了解，以便借助于工艺技术方面的知识，在电路设计过程中可以考虑实际的版图布局等问题； 3、工艺参数的知识使设计者在设计过程中能够进行成品率的计算，在成品率、性能以及简化设计之间实现平衡折衷。 第二节 集成电路的生产过程 一、集成电路制造过程 1、示意图： 设计 掩模板 装配 单晶 材料 芯片 制造 检测 掩膜版 二、平面工艺技术框图 生成 保护 膜 确定 工作 窗口 开设 窗口 渗入 杂质 图象转移 二、典型双极工艺制造过程 （以PN结隔离技术） 外延层 N+ N+ N+ P+ P+ N N P N+ Sio2 N+ 集电区N+ 发射区N+ 基区P 隔离 埋层N+ PSi 衬底 2．工艺流程 (1)制作埋层（图2.4a） SiO2 1#掩模版 （2）生长外延层（图2.4B） N+ （3）形成隔离岛（图2.4C） 2＃掩模版 （4）形成基区（图2.4D） P+ N 3#掩模版 PSi (5)形成发射区，集电区(图2.4E) 4＃掩模版 （6）金属化(图2.4F ) 5＃掩模版 （7）连线 三、小结： 双极性工艺过程，芯片制造主要包括三类技术： 1、图形转换技术：主要包括光刻、刻蚀等 技术。 2、薄膜制造技术：主要包括外延、氧化、 化学汽相淀积，物理汽相淀积 （如溅射，蒸发）等。 3、掺杂技术：主要包括扩散和离子注入技术。 第三节 集成电路制造工艺的关键技术 一、图形转换技术：