半导体物理学刘恩科第七版第一章半导体中电子态.pptVIP

* 硅和锗的价带顶Ev都位于布里渊区中心， 硅导带底Ec则分别位于100方向的布里渊区中心到布里渊区边界的0.85倍处, 锗导带底Ec位于简约布里渊区边界上. 导带底与价带顶的能量对应的波矢不同。这种半导体称为间接禁带半导体。 （22） 规律减小。 硅、锗的禁带宽度是随温度变化的。 在T=0K时，硅、锗的禁带宽度Eg分别趋近于 EgSi=1.170eV， EgGe=0.7437eV 随着温度升高， Eg按 式中Eg(T)和Eg(0) 分别表示温度为T和0K时的禁带宽度。 * 硅： α= 4.73×10-4eV/K β= 636K 锗： α= 4.774×10-4eV/K β= 235K T=300K时， EgSi=1.12eV， EgGe=0.67eV 温度系数α和β分别为： 所以Eg具有负温度系数。 对半导体来说，导带底和价带顶的能量差，即禁带宽度Eg是十分重要的量. * 1.7 Ⅲ-Ⅴ化合物半导体的能带结构 GaAs化合物半导体的能带结构 导带极小值位于k=0处，等能面试球面，导带电子有效质量mn*=0.067m0, 禁带宽度Eg=1.424eV, 价带顶也位于