薄膜物理磁控溅射基本原理.pptVIP

图2-27说明，在周期表每一排中，凡电子壳层填满的元素就有最大的溅射率。因此，惰性气体的溅射率最高。而位于元素周期表的每一列中间部位元素的溅射率最小，如 Al、Ti 、Zr等。所以，在一般情况下，入射离子大多采用惰性气体，考虑到经济性，通常选用Ar为工作气体，同时，惰性气体可以避免与靶材发生化学反应。 2）入射离子能量与溅射率的关系 入射离子能量大小对溅射率有显著影响。当入射离子能量高于某一个临界值（即溅射阈值）时，才发生溅射。 图 2-25 为溅射率与人射离子能量之间的典型关系曲线。结果表明，当人射离子能量较小时，溅射率随入射离子能量的增加而呈指数上升，其后，随人射离子能量的增加出现一个线性增大区，之后逐渐达到一个平坦的最大值并呈饱和状态。如果再增加 E 则因离子注人效应反而使 S 值开始下降。 用 Ar 离子轰击铜时，离子能量与溅射率的关系如图 2-26 所示，图中能量范围扩大到 100keV ，这一曲线可分成三部分：第一部分是几乎没有溅射的低能区域；第二部分的能量从 70eV 至 10keV ，这是溅射率随离子能量增大的区域，用于溅射淀积薄膜的能量值大都在这一范围内；第三部分是 30keV 以上，这时溅射率随离子能量的增加而下降。此时轰击离子深人到靶材内部，将大部分能量损失在靶材体内，而不是消耗在靶表面。 3）入射离子入射角与溅射