半导体物理学pn结.pptxVIP

半导体物理SEMICONDUCTOR PHYSICS;第六章 p-n结;§ 6.1 p-n结及其其能带图;6.1 pn结及其能带图; ;;图6-2;图6-4;; PN结的形成 在半导体基片上分别制造N型和P型两种半导体。经过载流子的扩散运动和漂移运动,两运动最终达到平衡，由离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。 ;1．PN结的形成 ; ① 扩散运动 —— P型和N型半导体结合在一起时，由于交界面（接触界）两侧多子和少子的浓度有很大差别，N区的电子必然向P区运动，P区的空穴也向N区运动，这种由于浓度差而引起??运动称为扩散运动。 ② 漂移运动 —— 在扩散运动同时，PN结构内部形成电荷区，（或称阻挡层，耗尽区等），在空间电荷区形成的内部形成电场的作用下，少子会定向运动产生漂移，即N区空穴向P区漂移，P区的电子向N区漂移。 ;;;;;热平衡条件;热平衡条件;;内建电势;内建电势;;图6-8;;;图6-9;;Step Junction;§ 6.2 p-n结的电流电压特性;;;;★ 正向偏压下的p-n结;;;;;;;★ 反向偏压下的p-n结;;;图6-14;★ 理想p-n结;★ 伏安特性;;理想二极管方程;理想二极管方程;定量方程;准中性区的载流子运动情况;;;耗尽层边界(续);准中性区载流子浓度;理想二极管方程