第三届国际紫外材料与器件会议IWUMD2018.PDFVIP

会议进程 第三届国际紫外材料与器件会议 IWUMD 2018 2018 年12 月9-12 日 中国，昆明 云安会都酒店 前言 欢迎参加2018 IWUMD 继第二届紫外材料与器件国际研讨会，于2017 年11 月14 日至18 日，在日 本福冈成功举办后，第三届紫外材料与器件国际研讨会 （IWUMD-2018），将于 2018 年12 月9 日至12 日在中国昆明云安会都国际酒店酒举办。我们谨代表会 议组织方，非常高兴欢迎您的参加。 本次研讨会将重点讨论紫外 （UV）材料 （包括AlN，BN，Ga O 等）的生长， 2 3 物理和器件。研讨会内容包括邀请报告，口头报告和海报会议。 我们希望本次会议能给大家提供一个关于紫外材料及器件相关研究的交流 讨论的机会。 会议组织结构 会议主席 李晋闽 中国科学院半导体研究所 国际顾问委员会 主席: Bernard Gil 法国蒙彼利埃大学 委员: Hiroshi Amano 日本名古屋大学 Russell Dupuis 美国乔治亚理工学院 Nicolas Grandjean 瑞士洛桑联邦理工学院 Sergey Ivanov 俄罗斯约飞研究所 DebdeepJena 美国康奈尔大学 Yoichi Kawakami 日本京都大学 Michael Kneissl 德国柏林工业大学 Hideto Miyake 日本三重大学 Boon S. Ooi 沙特阿拉伯阿 卜杜拉国王科技大学 沈波 北京大学 Zlatko Sitar 美国北卡罗来纳州立大学 TakashiTaniguchi 日本物质材料研究所 C.C. Yang 国立台湾大学 EuijoonYoon 韩国首尔大学 Rong Zhang 厦门大学 国内顾问委员会 名誉主席: 郑有炓 南京大学 主席: 李树深 中国科学院 郝跃 西安电子科技大学 委员: 曹国英 国家科技部高新技术及产业化司 陈良惠 中国科学院半导体研究所 褚君浩 中国科学院上海技术物理研究所 甘子钊 北京大学 龚旗煌 北京大学 顾瑛 解放军总医院 管晓宏 西安交通大学 侯洵 西安交通大学 黄如 北京大学 黄维 西北工业大学 刘明 中国科学院微电子研究所 秦玉文 国家自然科学基金委员会 王立军 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 王启