第二章 薄膜的化学制备方法（1）.pptVIP

CVD反应能否进行的热力学判据是什么？如何避免反应中异相成核过快或同相成核？ 2. CVD反应体系必须具备三个条件是什麽？ 3. 写出CVD 沉积Si、SiO2、Si3N4、GaAs薄膜的反应方程？各采用什么类型的CVD装置？ 4. 说出APCVD、LPCVD、PECVD的原理和特点。 作业 旋转立式 对系统尚有冷壁和热壁的区别 冷壁CVD：器壁和原料区都不加热，仅基片被加热，沉积区一般采用感应加热或光辐射加热。缺点是有较大温差，温度均匀性问题需特别设计来克服。 适合反应物在室温下是气体或具有较高蒸气压的液体。 热壁CVD：器壁和原料区都是加热的，反应器壁加热是为了防止反应物冷凝。管壁有反应物沉积，易剥落造成污染。 热壁CVD的应用： 1. 由于上述原因，热壁反应器主要被用于实验室研究给定前驱体做CVD的可行性。 2. 因为巨大的受热表面积能完全消耗前驱体并提供高的反应产物产率，因此，热壁CVD也常常用于确定反应产物的分布。 3. 热壁反应器通常不在工业上使用或者用于反应动力学的定量测量；然而，却广泛用于具有高蒸气压前驱体的半导体和氧化物的CVD。 冷壁反应器的特点及应用： 1. 冷壁反应器CVD被广泛用于实验室和工业生产； 2. 尽管冷壁反应器相对于气流不同的方向通常仅容纳一片半导体晶片，但是可以控制压力和温度，可以使用等离子体，反应器壁上不会发生沉