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SSD基础知识及一些技术解析 ;目录;SSD定义及组成;SSD定义及组成;Controller 主控， 负责读取、写入 SandForce、 Intel、 Marvell（迈威）、 JMicron智微、 SamSung、 Indilinx、Sandisk、 Toshiba东芝、 SkyMedi擎泰、 Phison群联、 SMI慧荣、 KTC太和、 Alcor安国、 US Best联盛、亮发 Initio(量晶) Nand Flash 闪存， 负责存储 Intel、 SamSung、 Toshiba、 Micron、 Hynix、 Sandisk、 STMicro、 Renesas、 Qimonda、 Numonyx、 infineon Mobile DRAM: samsung、Elpida（尔必达）、Hynix（海力士）、Mcron（镁光） ;主控厂家;短板的出现－－硬盘;1956年9月，IBM向世界展示了第一台磁盘存储系统IBM 350 RAMAC （Random Access Method of Accounting and Control） 1968年，IBM公司首次提出“温彻斯特/Winchester”技术 1973年，IBM公司制造出第一台采用“温彻期特”技术的硬盘 1979年，IBM发明薄膜磁头，为减小硬盘体积、增大容量、提高读写速度提供了可能 80年代末期，IBM发明了MR（Magneto Resistive)磁阻，使得盘片的存储密度 比以往20MB每英寸提高了数十倍 1991年，IBM生产的3.5英寸的硬盘使用了MR磁头，使硬盘的容量首次达到了1GB， 从此 硬盘容量开始进入了GB数量级 1999年9月7日，Maxtor宣布了首块单碟容量高达10.2GB的ATA硬盘，把硬盘的容量 引入了一个新里程碑 2000年2月23日，希捷发布了转速高达15，000RPM的Cheetah X15系列硬盘 2000年3月16日，IBM第一款“玻璃硬盘”问世;SSD发展历程;SSD;SSD的分类;SSD的分类;单层单元(SLC，Single Layer Cell) 每个单元是1bit 成本高、容量小、速度快 结构简单 复写次数高达100000次 多层单元(MLC， Multi-Level Cell) 每个单元是2bit 容量大、成本低，速度慢 MLC存储单元中存放的资料较多，结构相对复杂，出错的几率会增加，必须进行错误修正，性能大幅落后于结构简单的SLC闪存 复写次数5000~10000次 为了保证MLC的寿命，控制芯片都校验和智能磨损平衡技术算法，使得每个存储单元的写入次数可以平均分摊，达到100万小时故障间隔时间(MTBF)。 ;SLC MLC性能区别 ;SSD与HDD比较;16;SLC,MLC,HDD的性能比较;18;SSD与HDD其它比较;SSD,HDD功耗比较;启动快 没有电机加速旋转的过程。 读取延迟小 不用磁头，快速随机读取，读延迟极小。 碎片不影响读取时间 相对固定的读取时间。由于寻址时间与数据存储位置无关，因此磁盘碎片不会影响读取时间 写入速度快 基于DRAM的固态硬盘写入速度极快。 无噪音 发热量较低 ;不会发生机械故障 内部不存在任何机械活动部件，不会发生机械故障，也不怕碰撞、冲击、振动、省电 工作温度范围更大 典型的硬盘驱动器只能在5到55℃范围内工作。而大多数固态硬盘可在-10~70℃工作，一些工业级的固态硬盘还可在-40~85℃，甚至更大的温度范围下工作（e.g: RunCore军工级产品温度为-55~135℃）。 体积小重量轻 　　低容量的固态硬盘比同容量硬盘体积小、重量轻。但这一优势随容量增大而逐渐减弱。直至256GB，固态硬盘仍比相同容量的普通硬盘轻。 ; 成本高 　　每单位容量价格是传统硬盘的5~10倍（基于闪存），甚至200~300倍（基于DRAM）。 容量低 　　目前固态硬盘最大容量远低于传统硬盘。（美国公司Foremay推出了EC188M系列固态硬盘2TB。）传统硬盘的容量仍在迅速增长，据称IBM已测试过4TB的传统硬盘。 易受外界影响 　　由于不像传统硬盘那样屏蔽于法拉第笼中，固态硬盘更易受到某些外界因素的不良影响。如断电（基于DRAM的固态硬盘尤甚）、磁场干扰、静电等。;写入寿命有限 写入寿命有限（基于闪存）。一般闪存写入寿命为1万到10万次，特制的可达100万到500万次，然而整台计算机寿命期内文件系统的某些部分（如文件分配表）的写入次数仍将超过这一极限。特制的文件系统或者固件可以分担写入的位置，使固态硬盘的整体寿