半导体三极管放大电路25改.pptxVIP

第三章 半导体三极管及放大电路基础;第三章 半导体三极管及放大电路基础 ;第三章 半导体三极管及放大电路基础 ;3.1 半导体三极管;基区：最薄， 掺杂浓度最低;3. 1. 2 电流分配和放大原理;IC;2. 各电极电流关系及电流放大作用; 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是CCCS器件。;３共集电极：集电极作为公共端，用CC表示；;3.1.3 特性曲线;　发射极是输入回路、输出回路的公共端 ;1. 输入特性;2. 输出特性;;（2）截止区;BJT能实现电流控制作用及放大作用。;NPN、 PNP型三极管分别处于放大区时，其三个极电位有何关系？;测量BJT三个电极对地电位如图所示， 试判断BJT的工作区域 ？;3.1.4 主要参数;例：在UCE= 6 V时， 在 Q1 点IB=40?A, IC=1.5mA； 在 Q2 点IB=60 ?A, IC=2.3mA。;二、 极间反向电流 ;三、 极限参数： ;2 集电极最大允许损耗PCM;3 反向击穿电压：;3.1.5 温度对晶体管参数的影响;1、BJT必须工作在安全工作区 ;例：;思考题 ;第三章 半导体三极管及放大电路基础 ;3.2.1 放大电路基本知识 （参考教材 P7～19）;扩音机示意图;;三、 放大电路主要技术指标 ：;2 输入电阻Ri ; 3 输出电阻Ro 表明放大电路带负载的能力。 Ro大，表明放大电路带负载的能力差，反之则强。;4 通频带 BW 放大电路的增益A(f) 是频率的函数。在低频段和高频段放大倍数通常都要下降。当A(f)下降到中频电压放大倍数A0的 时，即 ;3.2.2 共发射极放大电路的组成;3.2.2共发射极放大电路的组成;3.2.2共发射极放大电路的组成;3.2.2共发射极放大电路的组成;3.2.3共发射极放大电路的工作原理;uBE;ui;结论：;2) 加上输入信号电压后，各电极电流和电压的大 小均发生了变化，都在直流量的基础上叠加了 一个交流量，但方向始终不变。;3) 若参数选取得当，输出电压可比输入电压大， 即电路具有电压放大作用。;实现放大的条件 ;3、直流通路和交流通路 ;;例：画出下面放大电路的直流通路;对交流信号(有输入信号ui时的交流分量);第三章 半导体三极管及放大电路基础 ;静态：放大电路无???号输入（ui =0）时的工作状态。;1、 用估算法确定静态值;例1：用估算法计算静态工作点。;例2：用估算法计算图示电路的静态工作点。;条件：已知BJT的输入、输出特性曲线;5 在输出特性曲线上画出直线： VCE=VCC－ICRC  （直流负载线）;3.3.2 放大电路的动态分析; 1、用图解法分析动态;（2） 输入交流信号时的图解分析;2、静态工作点对波形非线性失真的影响：;; 如果Q设置不合适，晶体管进入截止区或饱和区工作，将造成非线性失真。;若Q设置过低，;2、 微变等效电路法分析动态;;（2） 放大电路的微变等效电路; 分析时假设输入为正弦交流，所以等效电路中的电压与电流可用相量表示。;（3）电压放大倍数的计算;（3）电压放大倍数的计算;（4）放大电路输入电阻的计算;; （5） 放大电路输出电阻的计算;;分析的一般步骤： 1 放大电路的静态分析，求Q(IB 、 IC （ IE ） 、 VCE )， 并求rbe ;3、 分析方法总结：;（1）用工程估算法求Q。;第三章 半导体三极管及放大电路基础 ;3.4 静态工作点的稳定;3.4.1 温度变化对静态工作点的影响;;3.4.2 分压式偏置电路; 集电极电流基本恒定，不随温度变化。;在估算时一般选取： I2= (5 ~10) IB，VB= (5 ~10) UBE， RB1、RB2的阻值一般为十几千欧到几十千欧。;2. 静态工作点的计算;3. 动态分析; 去掉CE后的 微变等效电路;无旁路电容CE;例1:;【解】;(2) 由微变等效电路求Au、 ri 、 r0。;;3.4.3基本射极放大电路与分压式射极偏置电路的比较;第三章 半导体三极管及放大电路基础 ;3.5.1 共集电极电路;求Q点：;2 、 动态分析;（2.） 输入电阻;（3. ）输出电阻;3、共集电极放大电路(射极输出器)的特点：;4、