电子和微电子材料半导体材料.ppt

* 3. 改善军事系统与装备性能。 高温、高频、高功率微波器件是雷达、通信等军事领域急需的电子器件，如果目前使用的微波功率管输出功率密度提高一个数量级，微波器件的工作温度将提高到300℃，不仅将大大提高雷达（尤其是相控阵雷达）、通信、电子对抗以及智能武器等军事系统与装备的性能，而且将解决航天与航空用电子装备以及民用移动通信系统的一系列难题。 * 三、InP 1910年，蒂尔合成出InP，是最早制备出来的III-V族化合物； InP单晶体呈暗灰色，有金属光泽 室温下与空气中稳定，3600C下开始离解 * InP特性 高电场下，电子峰值漂移速度高于GaAs中的电子，是制备超高速、超高频器件的良好材料； InP作为转移电子效应器件材料，某些性能优于GaAs InP的直接跃迁带隙为1.35 eV，正好对应于光纤通信中传输损耗最小的波段； InP的热导率比GaAs好，散热效能好 InP是重要的衬底材料 * II-VI族化合物半导体材料 II-VI族化合物离子键成分更多，极性更强，具有更高的蒸气压，生长单晶更为困难。 II-VI族化合物均为直接跃迁带隙结构，带隙比III-V族要大 * 化合物 晶体结构 带隙 un up ZnO 纤锌矿 3.37 1000 180 ZnS 闪锌矿 3.66 600 40 ZnS 纤锌矿 3.74 280 100 ZnSe 闪锌矿 2.72 625 30 ZnSe 纤锌矿 2.72 560 110 ZnTe 闪锌矿 2.2 340 100 ZnTe 纤锌矿 2.80 HgTe和HgSe，晶体结构只有闪锌矿结构 * 自补偿效应 除了CdTe,其余II-VI化合物都是单极性半导体 只能以一种导电类型存在 存在高密度的空位等晶格缺陷，为自补偿效应提供条件 难以利用杂质补偿的办法制作pn结 * 1） ZnS 闪锌矿和纤锌矿两种结构 是一种用途广泛的电致发光材料：因掺杂物不同光谱由红光至蓝光覆盖整个可见光范围 发射光谱和发光效率可通过掺杂和晶粒尺寸控制 * ZnS 应用 重要的光学和光电材料，在整个可见光波段都是直接带隙，发光效率高 制备平面彩色显示器，激光，发光器件，等 ZnS 薄膜场致发光显示器 红外波长透射率高，熔点高，防潮抗腐蚀，可做红外窗口材料，用于红外线激光器、卫星、导弹跟踪系统 * 2） CdS/ CdSe /CdTe 具有高度光敏性 CdS/ CdSe属于n型单极性材料，空穴陷阱大大减少了光生载流子的复合机会，提高了少子寿命 * 应 用 CdS/ CdSe，光敏元件，用于相机自动曝光，机电光电控制、光电耦合、光电检测； CdS太阳电池转换效率10%左右，工艺简单，成本低廉，器件面积易扩大； CdTe高能辐射，高能粒子探测器 CdS/CdTe相配可制成pn结异质太阳电池 * 6.3.6、半导体材料的主要应用 二极管、三极管等分立器件 集成电路 微波器件 光电器件 红外器件 热电器件 压电器件 * 微电子器件 * 第一个微处理器（1971） * 光电子器件 * 光纤材料 * 光纤材料: ? 石英玻璃： SiO2、SiO2-GeO2、 SiO2-B2O3-F ? 多组分玻璃：SiO2-GaO-Na2O、 SiO2-B2O3–Na2O ? 红外玻璃： 重金属氧化物、卤化物 ? 掺稀土元素玻璃： Er、Nd、… 多模只适于小容量近距离（40Km,100M bps) 单模可传输调制后的信号≥40Gbps 到200Km，而不需放大。 * 国民经济 国家安全 科学技术 半导体微电子和光电子材料 通信、高速计算、大容量信息处理、空间防御、电子对抗、武器装备的微型化、智能化 半导体材料的地位 * * * * * * * * * * * UT=kT/q * * * * 一、GaAS 能带结构 物理性质 化学性质 电学性质 光学性质 * GaAs能带结构 直接带隙结构 双能谷：强电场下电子从高迁移率能谷向低迁移率能谷转移，引起电子漂移速度随电场的升高而下降的负微分迁移率效应 存在子能谷；子能谷与主能谷能量差小于禁带宽度而大于Kt；电子在子能谷的有效质量大于在主能谷的有效质量。 带隙为1.42 eV * GaAs物理性质 GaAs晶体呈暗灰色，有金属光泽 分子量为144.64 原子密度4.42×1022/cm3 * GaAs化学性质 GaAs室温下不溶于盐酸，可与浓硝酸反应，易溶于王水 室温下，GaAs在水蒸气和氧气中稳定 加热到6000C开始氧化，加热到8000C以上开始离解 * GaAs电学性质 电子迁移率高达 8000 GaAs中电子有效质量为自由电子的1/15，是硅电子的1/3