激光器件激光基本原理和技术应用.pptVIP

价带顶空穴的占据几率可以用P区的准费米能级来计算 价带顶电子占据几率则为 在结区导带底和价带顶实现粒子（电子）数反转的条件是 此式便是同质结半导体激光器的载流子反转分布条件。其物理意义是： （1）工作区中导带能级的电子占有几率大于价带能级中的电子占有几率。 （2）因为发射的光子能量基本等于禁带宽度Eg，因而要求(E-F) 一(E+F) Eg，而P－N 结两边的PP型和NN型半导体都必须高掺杂，从而使电子和空穴的准费米能级分别进入导带和价带。 （3）所加的正向偏压必须满足 GaAs激光器的结构 9.4.3 半导体激光器的工作原理和阈值条件 一、 半导体激光器的基本结构和工作原理 示出了GaAs激光器的结构。 图(b)是台面形管芯激光器的外形结构，管芯的形状有长方形，台面形,电极条形等多种，图(5-28a) 的管芯形状是长方形， P－N 结的厚度仅几十微米，一般是在N型GaAs衬底上生长一薄层P型 GaAs 而形成P－N 结。 激光器的谐振腔一般是直接利用垂直于P－N 结的两个端面，由于GaAs的折射率n＝3.6，所以对于垂直于端面的光的反射率为32%。为了提高输出功率和降低工作电流，一般使其中一个反射面镀金反膜。 二、 半导体激光器工作的阈值条件 激光器产生激光的前提条件除了粒子数发生反转还需要满足阈值条件 工作物质实现了粒