半导体器件之pn结器件.pptxVIP

pn结二极管 pn结静态特性回顾 理想pn结正偏电流-电压特性 pn结的小信号模型 空间电荷区中的产生与复合电流（非理想特性） pn结二极管的击穿特性 pn结二极管的开关特性 ;同质pn结性质回顾 同一均匀半导体 冶金结 空间电荷区 内建电场 耗尽区 零偏pn结 ;pn结的零偏、反偏和正偏 ;零偏状态下 内建电势差形成的势垒维持着p区和n区内载流子的平衡 内建电场造成的漂移电流和扩散电流相平衡 ;pn 结两端加正向偏压Va后， Va基本上全降落在耗尽区的势垒上； 由于耗尽区中载流子浓度很小??与中性P区和N区的体电阻相比耗尽区电阻很大。 势垒高度由平衡时的eVbi降低到了e(Vbi-Va) ；正向偏置电压Va在势垒区中产生的电场与自建电场方向相反，势垒区中的电场强度减弱，并相应的使空间电荷数量减少，势垒区宽度变窄。;产生了净扩散流； 电子：N区→ P区 空穴：P区→ N区 热平衡时载流子漂移流与扩散流相互抵消的平衡被打破：势垒高度降低，势垒区中电场减弱，相应漂移运动减弱，因而使得漂移运动小于扩散运动，产生了净扩散流。;;理想PN结电流－电压特性方程的四个基本假设条件： PN结为突变结，可以采用理想的耗尽层近似，耗尽区以外为中性区； 载流子分布满足麦克斯韦－玻尔兹曼近似； 满足小注入的条件； 通过PN结的总电流是一个恒定的常数；电子电流和空穴电流在PN结中各处是一个连续函数；电子电