尼曼 半导体物理与器件第十二章.ppt

* VBE增加，可能出现注入的少子浓度接近或大于多子浓度，多子浓度将会增加。 高等半导体物理与器件第十二章 双极晶体管 * PPT课件 主要内容 双极晶体管的工作原理 少子的分布 低频共基极电流增益 非理想效应 等效电路模型 频率上限 大信号开关 小结 * PPT课件 晶体管基本工作原理：在器件的两个端点之间施加电压，从而控制第三端的电流。 最基本的三种晶体管：双极晶体管、金属-氧化物-半导体场效应晶体管、结型场效应晶体管。 双极晶体管：在此器件中包含电子和空穴两种极性不同的载流子运动。 双极晶体管中有2个pn结，结电压的正负情况可以有多种组合，导致器件有不同的工作模式。 是一种电压控制的电流源。 两种等效电路模型，适用于不同的情况。 * PPT课件 12.1 双极晶体管的工作原理 三个掺杂不同的扩散区、两个pn结 三端分别为发射极（E）、基极（B）、集电极（C） 相对于少子扩散长度，基区宽度很小 发射区掺杂浓度最高，集电区掺杂浓度最低 pn结的结论将直接应用于双极晶体管的研究 双极晶体管不是对称器件，包括掺杂浓度和几何形状 * PPT课件 (a)npn型(b)pnp型双极晶体管的简化结构图及电路符号 (a)集成电路中的常规npn型双极晶体管(b)氧化物隔离的npn型双极晶体管截面图 * PPT课件 第十二章 双极晶体管 （1）基本工作原理 均匀掺杂的npn型双极晶体管的理想化掺杂浓度分布图 (a)npn型双极晶体管工作在正向有源区的偏置情况(b)工作于正向有源区，npn型 双极晶体管中少子的分布(c)零偏和正向有源区时，npn型双极晶体管的能带图 图中显示了正向有源模式下电子从n型发射区注入（因此称为发射区）和电子在集电区被收集（因此称为集电区）的截面图 B-E结正偏，B-C结反偏（正向有源模式）-共基 B-E结正偏：电子从发射区越过发射结注入到基区； B-C结反偏：理想情况下B-C结边界处，少子电子的浓度为零。 图(b)中电子浓度梯度标明：发射区注入的电子会越过基区扩散到B-C结的空间电荷区，那里的电场会把电子扫到集电区。 为了使尽可能多的电子到达集电区，而不是和基区多子空穴复合；与少子电子扩散长度相比，基区宽度必须很小。 当基区宽度很小时，少子电子浓度是B-E结电压和B-C结电压的函数。 两个结距离很近——互作用pn结。 npn型双极晶体管的横截面图 * PPT课件 （2）晶体管电流的简化表达式 短基区 理想情况下，基区少子电子浓度是基区宽度的线性函数，表明没有复合发生。电子扩散过基区，后被B-C结空间电荷区电场扫入集电区。 * PPT课件 集电极电流：扩散电流 晶体管基本工作原理：器件一端的电流由加到另外两端的电压控制 * PPT课件 发射极电流： α称为共基极电流增益。该增益尽可能接近1。 总的发射极电流为： 一部分电流是发射区注入基区的电子电流，即iC。 另一部分电流是正偏B-E结电流，即iE2。 * PPT课件 基极电流： β为共发射极电流增益，其值远大于1（数量级为100或更大）。 总的基极电流为： 一部分电流iBa是B-E结电流，即iE2。 另一部分是基区空穴复合电流，记为即iBb。 直接依赖于基区中少子电子的数量。 * PPT课件 （3）工作模式 ①B-E反偏，B-C反偏：截止。 ②B-E正偏，B-C反偏：正向有源区。 ③B-E正偏，B-C正偏：饱和。 ④ B-E反偏，B-C正偏：反向有源区。 共射 * PPT课件 双极晶体管和其他元件相连，可实现电压、电流放大。 正向有源区，电压增益，电压放大器 共射 （4）双极晶体管放大电路 * PPT课件 12.2 少子的分布 双极晶体管的电流是由少子的扩散决定的。 * PPT课件 （1）正向有源模式：B-E结正偏，B-C结反偏 均匀掺杂npn双极晶体管。 单独考虑每个区域时，将起点移到空间电荷区边界，采用正的坐标值。 中性集电区长度比集电区内少子扩散长度大得多。 中性发射区有限长，假设x′=xE处表面复合速率无限大，即此处过剩少子浓度为零。 * PPT课件 ①基区 稳态下，过剩少子电子浓度可通过双极输运方程得到。 中性区，电场为零，无过剩载流子产生，稳态下输运方程 通解表示为 B-E结正偏 边界条件： B-C结反偏 通过线性近似得： * PPT课件 ②发射区 同样，使用稳态下过剩少子的双极输运方程 通解表示为 B-E结正偏 边界条件： x′=xE处，表面复合速度无限大 通过线性近似得： * PPT课件 ③集电区 稳态下过剩少子输运方程 通解表示为 集电区无限长 边界条件： B-C结反偏 集电区过剩少子浓度： * PPT课件 * PPT课件 （2）其他工作模式 （a）截止：B-E结，B-C结均反偏，空间电荷区边界少子浓度均为零。 （b）饱和：B-E结，B-C结