31光电信息转换器件.pptxVIP

　3．光伏效应。在入射光能量作用下能使物体产生一定方向的电动势。以PN结为例，由于光线照射PN结而产生的电子和空穴，在内电场作用下分别移向N和P区，从而对外形成光生电动势。相应器件：光电池、光敏二极管、光敏三极管等。 ;光电信息转换器件的主要特性和参数如下： 1．光电特性—— IФ [光电流]＝F（Ф）[光通量] 2．光谱特性—— IФ [光电流]＝F（λ）[入射光波长] 3．伏安特性—— IФ [光电流]＝F（Ｕ）[电压] 4．频率特性—— IФ [光电流]＝F（f）[入射光调制频率] —— 导致电子瓶颈的???要原因 5．暗电流—— Ф＝0时光电信息转换器件输出的电流， 有时称为IФ=0 6． 灵敏度—— 对于复色光: S(积分灵敏度) =ΔI /ΔФ 对于单色光: S（λ）(光谱灵敏度)＝ΔI（λ）/ΔФ（λ）;　　光电倍增管由光窗、光电阴极、电子光学系统、电子倍增系统和阳极等五个主要部分组成，其外形如图3.1.1-1所示。;;1．光窗 　　光窗是入射光的通道，是对光吸收较多的部分。常用的光窗材料有钠钙玻璃和熔凝石英等。;4．倍增系统;光电倍增管的电流放大系数β可用下式表示：; 二、光电倍增管的特性;1．光电特性;2．光谱特性;　　表示阳极电流 Ia 对于最后一级倍增极和阳极间的电压U的关系。作此曲线时，其余各电极的电压保持恒定。 特点： （1）光通量不变，曲线由上升至饱和。 （2）电压不变，阳极电流随光通量增加;　 放大特性是指电流放大系数β或灵敏度随电源电压U增大的关系。;　　;　　暗电流Iφ=0的来源：光电阴极和光电倍增极的热电子发射。温度T越高，热电子发射越多，则暗电流越大。如果需要较小的暗电流，可通过冷却光电倍增管来减小暗电流。暗电流的另一组成部分是光电倍增管的漏电流。;三、光电倍增管的供电电路 ; 当入射辐射信号为高速的迅变信号或脉冲时，末3级倍增极电流变化会引起较大UDD的变化，引起光电倍增管增益的起伏，将破坏信息的变换。在末3极并联3个电容C1、C2与C3，通过电容的充放电过程使末3级电压稳定。;五、分析与计算;2.并联电容的确定;3.高压电源;一、结构与原理;二、特性;光谱特性;3．伏安特性;4．频率特性——导致电子瓶颈的主要原因;三、电路;补充：;补充：;　　当入射光通量变化时，会引起I和U的同时变化 ，使系统线性变坏，噪声增加。为了降低噪声，提高信息转换精度，可采取以下办法：; 典型偏置电??;四．应用举例;§3.1.3 光电池;一、原理与结构;;　　光电池的输出受外接负载电阻:;　　当RL≠0时，当U继续增大到PN结的导通电压时（RL非常大时），U就不会再增大，此时，PN结的rD变得很小，光照所产生的光电流Iφ几乎全部流向二极管，即： Iφ≈ID 　　这时，在负载RL上除有少量的电流维持PN结的导通电压U外，光照产生的光电流几乎都消耗在光电池内部。;二、特性;4．频率特性 ;三、电路;　　光电池用作检测元件使用时的电路如图所示，此电路可实现光电池的线性输出。对光电池而言，RL近似等于0。图中，;一、结构和工作原理; 光敏二极管工作时一般加反向偏压，无光照时，处于反偏的光敏二极管工作在截止状态，这时只有少数载流子在反向偏压的作用下，渡越阻挡层，形成微小的反向电流，即暗电流。受光照时，PN结及其附近受光子轰击吸收其能量而产生电子空穴对，在外加电场和内电场的共同作用下，使通过PN结的反向电流大大增加，形成了光电流。;　　光电二极管（PD，photodiode）把光信号转换为电信号的功能， 是由半导体PN结的光电效应实现的。;1 光照特性 ;2. 光谱特性 ;3. 伏安特性; 4. 温度特性;5. 暗电流 ;6. 频率特性;iφ; 光敏二极管等效简化联接电路如下图，其结电容c=5微微法，负载电阻RL ＝100千欧，求：此电路的上限频率为多少？; 光敏二极管的联接和伏安特性如下图，若光敏二极管上的照度L＝100+100Sin（?t）勒克斯，为使光敏二极管上有10V的电压变化。请选择合适的负载电阻和电源电压，并绘出电流、电压随光强变化曲线。;四、PIN管;由耗尽层宽度与外加电压的关系可知，增加反向偏压会使耗尽层宽度增加，从而结电容要进一步减小，使频带宽度变宽。 所不足的是，I层电阻很大，管子的输出电流小，一般多为零点几微安至数微安。 目前有将PIN管与前置运算放大器集成在同一硅片上并封装于一个管壳内的商品出售。 ; 雪崩光电二极管是利用PN结在高反向电压下产生的雪崩