MOS场效应管基本特性.pptVIP

MOSFET的噪声来源主要由两部分： 热噪声 (thermal noise) 闪烁噪声(flicker noise，1/f-noise) 5.5 MOSFET的噪声 MOS管特性 有源器件的噪声特性对于小信号放大器和振荡器等模拟电路的设计是至关重要的； 所有FET(MOSFET, MESFET等)的1/f 噪声都高出相应的BJT的1/f 噪声约10倍。这一特征在考虑振荡器电路方案时必须要给予重视。 热噪声 是由沟道内载流子的无规则热运动造成 的，通过沟道电阻生成热噪声电压 veg(T，t)，其等效电压值可近似表达为 Df为所研究的频带宽度, T是绝对温度. 设MOS模拟电路工作在饱和区, gm可写为 结论：增加MOS的栅宽和偏置电流，可减小器件的热噪声 MOS管特性 闪烁噪声(flicker noise，1/f -noise) 形成机理：沟道处SiO2与Si界面上电子的充放电 闪烁噪声的等效电压值 系数K2典型值为3?1024V2F/Hz。 因为 ??1，所以闪烁噪声被称之为1/f 噪声。 电路设计时，增加栅宽W，可降低闪烁噪声。 MOS管特性 5.6 MOSFET尺寸按比例缩小(Scaling-down) MOSFET尺寸缩小对器件性能的影响 饱和区 结论1： L ? ? Ids? tox? ? Ids? L? +tox? ?