第八章 多芯片组件(MCM).pptVIP

1.基板测试 MCM基板包含有全部元器件连接的导体布线及互连通孔，测试的目的是验证基板布线及通孔的互连和导通，监控制造过程中的质量。 测试主要针对基板表面焊区上相连的电气网络，原因是这些焊区起着电信号出入基板的连接作用；其中，一些焊区与组装在基板上的芯片相连，另一些焊区与组件外的分立元器件相连。 把一个或多个探针与基板上的焊区相接触，就可进行电气网络测试；测试内容还包括阻抗、信号传输延迟、串扰和高压泄漏的测量。 2.元器件的测试 MCM使用的芯片质量是生产高成品率MCM的关键因素。所以生产优质芯片的工艺必须符合已制定的工艺流程，否则加工成本很高。芯片应放在自动处理装置进行老化和终测。 测试裸芯片的夹具分为三类：小型固定载体，临时封装或载体，裸芯片插座。TAB就是一种小型固定载体，是裸芯片测试较成熟的方法之一。 3. 组件的功能检查与故障诊断 8.3.3 MCM的返修技术 返修是MCM制造过程中必须重视的一个环节。尽管人企望任何MCM组件不需要返修，但当前要彻底取消它是不合理的。随着工艺水平、工艺质量、大规模制造能力和自动化和度的提高，返修可以逐步取消。 缝焊+检漏 外观目检 温度（至少10次，-65~150摄氏度） 电测试（可选） 老化（125摄氏度，至少160小时） 气密性检验 最后电测试 外观目检 MCM帅选试验流程 返修的几种常用方法： 1.WB器件的返修 2.粘接芯片和基板的返修方法 3.倒装芯片的返修方法 4.TAB连接芯片的返修方法 5.导带的返修方法 8.4 三维多芯片组件及其应用 8.4.1 概述 三维多芯片组件（简称3D-MCM）是在二维多芯片组件（即2D-MCM，通常指的MCM均系二维）技术基础上发展起来的高级多芯片组件技术。二者的区别在于：3D-MCM是通过采用三维（x, y, z方向）结构形式对IC芯片进行立体结构的三维集成技术；2D-MCM则是在二维(x, y方向)对IC芯片集成，即采用二维结构形式对IC芯片进行高密度组装，是IC芯片的二维集成技术。 三维多芯片组件技术是现代微组装技术发展的重要方向，是微电子技术领域跨世纪的一项关键技术。由于宇航、卫星、计算机及通信等军事和民用领域对提高组装密度、减轻重量、减小体积、高性能和高可靠性等方面的迫切需求，加之3D-MCM在满足上述要求方面具有的独特优点，因此该项新技术近年来在国外得到迅速发展。 ⑴ 电子系统（整机）对系统集成的迫切需求 电子系统（整机）向小型化、高性能化、多功能化、高可靠和低成本发展已成为目前的主要趋势，从而对系统集成的要求也越来越迫切。 实现系统集成的技术途径主要有两个：一是半导体单片集成技术，二是采用MCM技术。前者是通过晶片规模的集成技术（WSI），将高性能数字集成电路（含存储器、微处理器、图象和信号处理器等）和模拟集成电路（含各种放大器、变换器等）集成为单片集成系统；后者是通过三维多芯片组件（3D-MCM或MCM-V）技术实现WSI的功能。 据分析，可能在相当一段时间内，实现系统集成的主要技术途径仍将是3D-MCM技术；这对于半导体集成电路工业还不发达的我国尤其如此。 8.4.2 3D-MCM的发展驱动力 ⑵ 二维组装密度（组装效率）的限制 现代微组装技术的发展已到了接近二维组装所能达到的理论上最大的组装密度，目前2D-MCM的组装效率最高达85%，而采用3D-MCM可实现更高的组装密度（组装效率）， 其组装效率则已可达200%以上。 因此，为了进一步提高组装密度，实现更小的体积和更多的功能，也必须从二微组装向三维微组装发展。 3D-MCM的优点可归纳为 “四个减小”和“六个增大”，即： (1) 减小信号传输延迟时间。 由于LHSI的发展和应用，使得芯片之间互连线的长度已成为影响系统（整机）信号传输延迟的关键。3D-MCM中芯片之间的互连长度比2D-MCM短得多，因此可进一步减小信号传输延迟时间。 (2) 减小信号噪声。 在数字信号系统中，主要有四种噪声来源：反射噪声、串扰噪声、同步触发噪声和电磁干扰。这些噪声与信号在互连线中传输时的上升时间相关，即与互连线长短相关，3D-MCM可通过进一步缩短互连线的长度来降低信号噪声。 8.4.3 3D-MCM的优点 (3) 减小体积，减轻重量。 3D-MCM相对于2D-MCM而言，可使系统的体积缩小10倍以上，重量减轻6倍以上。 (4) 减小功耗。 电子系统中互连线功耗的表达式可写为P=f CV2，其中f是信号频率，V是互连线两端的电压差，C是互连线的寄生电容。由此看出，互连线的长度越短，