半导体激光器原理.pptxVIP

半导体激光器原理与制造Semiconductor laser diodePrincipleFabrication主要内容1.半导体物理基础知识2.半导体激光器工作原理3.工作特性及参数4.结构及制造工艺5.面发射激光器半导体物理基础知识能带理论直接带隙和间接带隙半导体能带中电子和空穴的分布量子跃迁半导体异质结半导体激光器的材料选择能带理论:晶体中原子能级分裂晶体中的电子作共有化运动，所以电子不再属于某一个原子，而是属于整个晶体共有晶体中原子间相互作用，导致能级分裂，由于原子数目巨大，所以分裂的能级非常密集，认为是准连续的，即形成能带电子总是先填充低能级，0K时，价带中填满了电子，而导带中没有电子导体 绝缘体 半导体能带中电子和空穴的分布导带中绝大多数电子分布在导带底。Ef为费米能级，它在能带中的位置直观的标志着电子占据量子态的情况。费米能级位置高，说明有较多能量较高的量子态上有电子。能带中电子和空穴的分布N型半导体中的电子和空穴在能级中的分布（热平衡状态）能带中电子和空穴的分布P型半导体中的电子和空穴在能级中的分布（热平衡状态）量子跃迁光的自发发射（是半导体发光的基础）光的受激吸收（是半导体探测器工作的基础）量子跃迁光的受激发射：光子激励导带中的电子与价带中的空穴复合，产生一个所有特征（频率、相位、偏振）完全相同的光子。它是半导体激光器的工作原理基础。量子跃迁非辐射跃迁：异质结