CMOS中无源器件概述.pptVIP

MOS管的耐压问题 漏源之间的耐压 与L有关，L小时由穿通电压决定，L大时由PN结击穿电压决定。 栅源之间的耐压 取决于栅氧化层厚度。 耐压与特征尺寸的关系 标准数字工艺: 特征尺寸减小，耐压下降。 MOS管的版图设计技术 L很大的MOS管版图。 并联MOS管版图 宽度很大的MOS管采用并联方式设计。 SPICE中使用m表示并联个数。 例:M1 ND NG NS NB MN +W=10U L=1U M=4 串联MOS管的版图 ST02工艺NMOS管版图 ST02工艺PMOS管版图 MOS管的工艺偏差 工艺角(Design Corner) 一般有 （NP）tt,ff,ss,fs,sf。 tt工艺角下的数据其实是统计平均值. MOS管寄生参数 源漏区耗尽电容 源漏区寄生电阻 M1 nd ng ns nb model + w=? l=? Ad=? As=? Pd=? Ps=? Nrd=? Nrs=? 第8讲 CMOS中的无源器件 电阻 集成电路中的电阻就是用半导体或金属材料构成的长方体。 电阻的计算公式 电阻率乘长度除以截面积 定义方块电阻 设计时一般采用方块电阻计算 角电阻计算 (a)不推荐的画法 ST02工艺中POLY2电阻的版图 电阻的温度系数 电阻的阻值随温度变化。变化值用ppm/℃表示。 一阶和二阶温度特性 一阶温度特性 一阶温度系数 二阶温度特性 温度系数的极性 温度上升，载流子浓度增加，但迁移率下降。最终的温度系数极性取决于哪种因素占主导。 一种工艺中可能存在具有正温度系数和负温度系数的电阻。 电压系数 电阻的电压系数定义 其中V是加在电阻上的平均电压，即两端电压之和除以2. 电阻和电压的函数关系为 本书45nm工艺各种材料的电阻特性 硅化物阻挡层 N+POLY电阻的版图。硅化物阻挡层使方块值增大。 POLY电阻的方块值取决于工艺，模拟CMOS工艺中高阻的方块值最大可达2k左右。 一般规律 无硅化物的多晶电阻性能相对较好，温度系数和电压系数较小。温度系数大约几十到几百ppm/℃,例如表中n+poly. N阱电阻方块值较大，但温度系数和电压系数都较大。例：TCR1=2400ppm/ ℃. 电阻的工艺偏差在20%—50%。 实际阻值可能比设计值（TT工艺角）阻值小一半！ 一个重要的电路设计思想 集成电路中很难将电阻的绝对阻值做准，但可将电阻之间的比例关系做准。 技术手段 采用单位元件。大的电阻由若干个单位电阻串联构成。 分压器版图 使用形状完全相同的多个单位电阻串联构成大的电阻。 金属连接处的电阻可以忽略。 证明题 如果一个电阻由N1段单位电阻串联构成，另一个电阻由N2段单位电阻串联构成，在忽略连接金属电阻的条件下，两个电阻的比例与温度系数无关。 保证比例关系的版图设计技术 叉指版图 共中心版图 共质心版图 增加陪（Dummy)元件 叉指版图 排列 ABABABAB A=16，B=20 共质心版图 排列 ABBAABBA A=18,B=18 增加陪元（Dummy)电阻 使所有电阻周边环境相同。Dummy电阻一般接地。 增加保护环 减少衬底噪声的方法。P+保护环接地。 电阻修调（Trimming) 激光修调 需要工艺中有薄膜电阻。 利用PAD修调 数字修调 电容 主要类型 （1）POLY-POLY电容，也称PIP电容。 （2）金属-POLY电容，即MIP电容。 （3）MOS电容. 主要参数 （1）单位面积电容。 （2）温度系数 （3）电压系数 POLY-POLY电容版图 性能好，单位电容大，TCC约20ppm/℃.失配可低于0.1%。 需要两层多晶，许多工艺不支持。 金属POLY电容 由金属1层和POLY构成，金属1层为上极板。单位电容小于PIP电容（相同容量电容面积大）。 电容在版图中占很大的面积，集成电路内部电容一般只能做到PF级。 金属电容 两层金属也可以构成电容，但由于中间的绝缘层较厚，单位面积电容较小。 横（侧向）向电容 在特征尺寸小的工艺中，由于允许间距很近，可以利用两条金属导线的侧面作为极板，中间的绝缘部分作为介质构成电容。 ST02工艺中的PIP电容版图 保证电容比例的版图设计技术 如果需要一个电容是另一个电容的N倍,在版图设计时,应将小电容作为单位电容,大电容则用N个单位电容并联.而不是设计面积比为1:N的两个电容. 理由:电容边界处情况复杂,容量大小与周长有关.小电容与大电容的周长不同,不能简单地将面积比理解为容量比. 应设计dummy电容保证每个单位电容外部环境相同. MOS管的工程设计问题 温度特性 （1）阈值电压的温度特性 温度升高阈值电压下降