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§4.3 非本征半导体 非本征半导体：掺入定量的特定的杂质原子（施主或受主），从而热平衡电子和空穴浓度不同于本征载流子浓度的半导体材料。 掺入的杂质原子会改变电子和空穴的分布。费米能级偏离禁带中心位置。 掺入施主杂质，杂质电离形成导带电子和正电中心（施主离子），而不产生空穴（实际上空穴减少），因而电子浓度会超过空穴，我们把这种半导体叫做n型半导体；在n型半导体中，电子称为多数载流子，相应空穴成为少数载流子。 相反，掺入受主杂质，形成价带空穴和负电中心（???主离子），空穴浓度超过电子，p型，多子为空穴。;掺入施主杂质，费米能级向上（导带）移动，导带电子浓度增加，空穴浓度减少 过程：施主电子热激发跃迁到导带增加导带电子浓度；施主电子跃迁到价带与空穴复合，减少空穴浓度；施主原子改变费米能级位置，导致重新分布;掺入受主杂质，费米能级向下（价带）移动，导带电子浓度减少，空穴浓度增加 过程：价带电子热激发到受主能级产生空穴，增加空穴浓度；导带电子跃迁到受主能级减少导带电子浓度；受主原子改变费米能级位置，导致重新分布 ;载流子浓度n0和p0的公式： 只要满足玻尔兹曼近似条件，该公式即可成立 只要满足玻尔兹曼近似条件，n0p0的乘积亦然为本征载流子浓度（和材料性质有关，掺杂无关）的平方。（虽然在这里本征载流子很少） 例4.5直观地说明了费米能级的移动，对载流子浓度造成的影响：费米能级抬高了约0.3eV，则电子浓度变为本征浓度的100000倍，空穴浓度的100000000000倍。;载流子浓度n0、p0的另一种表达方式：;费米－狄拉克积分在我们前面推导电子浓度n0和空穴浓度p0的过程中，我们都假设了玻尔兹曼近似成立的条件，如果不满足玻尔兹曼近似条件，则热平衡状态下的电子浓度必须表示为：;载流子浓度公式变为：;与此类似，热平衡状态下的空穴浓度也可以表示为：;简并与非简并半导体 在n0、p0的推导过程中，使用了玻尔兹曼假设，该假设只能处理非简并系统。而当导带电子（价带空穴）浓度超过了状态密度Nc（Nv）时，费米能级位于导带（价带）内部，称这种半导体为n（p）型简并半导体。;发生简并的条件 大量掺杂 温度的影响（低温简并） 简并系统的特点： 杂质未完全电离 杂质能级相互交叠分裂成能带，甚至可能与带边相交叠。杂质上未电离电子也可发生共有化运动参与导电。;§4.4 施主和受主的统计学分布 我们在前边提到，费米－狄拉克几率分布函数能够成立的前提条件是满足泡利不相容定律，即一个量子态上只允许存在一个电子，这个定律同样也适用于施主态和受主态。我们将费米－狄拉克分布几率用于施主杂质能级，则有： 其中gd为施主电子能级的简并度，通常为2。 Nd为施主杂质的浓度，nd为占据施主能级的电子浓度，Ed为施主杂质能级， Nd＋为离化的施主杂质浓度。 ;与此类似，当我们将费米－狄拉克分布几率用于受主杂质能级时，则有： Na为受主杂质的浓度，pa为占据受主能级的空穴浓度，Ea为受主杂质能级， Na为离化的受主杂质浓度， ga为受主能级的简并度，对于硅和砷化镓材料来说通常为4 ;完全电离和束缚态;则占据施主能级的电子数和总的电子数（导带中和施主能级中）的比值为：;同样，对于掺入受主杂质的p型非本征半导体材料来说，在室温下，对于1016cm-3左右的典型受主杂质掺杂浓度来说，其掺杂原子也已经完全处于离化状态。;绝对零度时EF位于Ec和Ed之间，杂质原子处于完全未电离态，称为束缚态 例4.8的结果表明，即使在零下100度的低温条件下，仍然有90%的受主杂质发生了电离。这表明完全电离假设在常温条件附近是近似成立的。;§4.5 掺杂半导体的载流子浓度 前边讨论了本征半导体的载流子浓度；讨论了施主杂质和受主杂质在半导体中的表现。定性的给出了杂质在不同温度下的电离情况，并且定性的知道了载流子浓度和掺杂水平的相关性。这节我们要具体推导掺杂半导体的载流子浓度和掺杂的关系。;;电中性条件 在平衡条件下，补偿半导体中存在着导带电子，价带空穴，还有离化的带电杂质离子。但是作为一个整体，半导体处于电中性状态。因而有：;完全电离（常温低掺杂）的条件下， 、 都等于零;同理利用 可推导出空穴浓度为：;不同掺杂水平下半导体中多子与少子的数量差别; 杂质原子不仅仅增加了多数载流子浓度，而且还减少了少数载流子浓度;高温下的载流子浓度 由于本征载流子浓度ni是温度的强函数，因而随着温度的增加，ni迅速增大而使得本征激发载流子浓度超过杂质载流子浓度，这将导致半导体的掺杂效应弱化或消失。;