《模电第三章N》-公开课件.pptVIP

限幅电路 2. 工作原理 开关电路 例1 作业: 习题：3.4.2，3.4.5, 3.5.1, 3.5.3 (4) 正向压降VF (5) 动态电阻rd 在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8V；锗二极管约0.2～0.3V。 反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。显然， rd与工作电流的大小有关，即 rd =?VF /?IF (6)最高工作频率fmax (7)结电容Cj 4 半导体二极管的温度特性 温度升高时，反向电流将呈指数规律增加. 硅管温度每增加8℃，反向电流将约增加一倍； 锗管温度每增加12℃，反向电流大约增加一倍。 另外，温度升高时，管的正向压降将减小， 每增加1℃，正向压降VF(VD)大约减小2mV， 即具有负的温度系数。如图3.13所示。 图 2.13 温度对二极管伏安特性曲线的影响 图示 5 半导体二极管的型号 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： P 6、二极管电路分析 （1）理想模型 正向导通压降VD=0，反向截止IR=0。 （2）恒压模型 正向导通压降VD=0.7V，反向截止IR=0。 （3）折线模型 正向导通压降：VD=0.5V+ID*rD。 （4） 小信号模型 二极管工作在正向特性的某一小范围内时，其正向特性可以等效成一个微变电阻。 即 根据 得Q点处的微变电导 则 常温下（T=300K） 理想模型 恒压模型 （硅二极管典型值） 折线模型 （硅二极管典型值） 设 例1：求VDD=10V，R＝10千欧时，二极管的 电流ID、电压VD 值。 解： 静态分析 VR Vm vi t 0 Vi VR时，二极管导通，vo=vi。 Vi VR时，二极管截止， vo=VR。 例2：理想二极管电路中 vi= Vm sinωt V，求输出波形v0。 解： 例 3 画出硅二极管构成的桥式整流电路在 ui = 15sin?t (V) 作用下输出 uO 的波形。 (按理想模型) O t uO/ V 15 O t ui / V 15 　　若有条件同学，可用 EWB 环境仿真观察桥式整流波形。 u 正半周，VaVb，二极管 D1、 D3 导通， D2、 D4 截止 , 3. 工作波形 uD2uD4 1. 电路结构 ? － uo uD ?t ?t RL u io uo 1 2 3 4 a b + – + – ? － u u0 = u； 2. 工作原理 u 负半周，Va﹤Vb，二极管 D2、 D4 导通， D1、 D3 截止 ， 3. 工作波形 uD2uD4 1. 电路结构 ? uo uD ?t ?t RL u io uo 1 2 3 4 a b + – + – ? u － － uD1uD3 u0 = -u。 利用二极管的单向导电性可作为电子开关 vI1 vI2 二极管工作状态 D1 D2 v0 0V 0V 导通 导通 导通 截止 截止 导通 截止 截止 0V 5V 5V 0V 5V 5V 0V 0V 0V 5V 例4：求vI1和vI2不同值组合时的v0值（二极管为理想模型）。 解： 7、稳压二极管 稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊硅二极管。稳压二极管的伏安特性曲线与硅二极管 的伏安特性曲线完全一样。 稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻。 电阻起限流作用，保护稳压管；其次是当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。 (2) 动态电阻rZ 在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 rZ =?VZ /?IZ， rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。 (3) 最大耗散功率 PZM 最大功率损耗取决于PN结的面积和散热等条件。反向工作时PN结的功率损耗为 PZ= VZ IZ，由 PZM和VZ可以决定IZmax。 (4) 最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作电流IZmin 最大稳定工作电流取决于最大耗散功率，即PZmax =VZIZmax 。而Izmin对应VZmin。 若IZ＜IZmin则不能稳压。 (1) 稳定电压VZ IR IZ Io 稳压管的稳压过程。 RL Io IR Vo IZ IR