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三极管及放大电路2 晶体三极管及放大电路基础 2.1 晶体三极管 2.2 放大电路的基本组成和主要性能指标 2.3 放大电路的分析法 2.4 晶体管偏置电路 2.5 放大电路三种组态 2.6 多级放大电器(理解) 4.7 放大器的频率响应(了解)集电极集电极CCPNBNBP基极基极PN发射区：掺杂浓度较高EE发射极发射极§2.1 晶体三极管PNP型一、 基本结构NPN型集电区：面积较大基区：较薄，掺杂浓度低C集电极NPBN基极E发射极集电结发射结CCPNNPCBBCPNBBEEEE* 三极管的符号PNP型三极管NPN型三极管CNBPNEIE二、IE， IB， IC 电流形成发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IB ，多数扩散到集电结。ECIBRBEBIC=ICE+ICBO?ICECICEICBONBPNEIE集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。从基区扩散到集电区的电子，被收集，形成ICE。ECIBRBEB内部载流子的传输过程：（1）E区向B区注入电子,形成IE（2）电子在B区复合，形成IB （3） C区收集电子，形成ICmA?AV三、 V-I特性曲线及结论iCiBECVRBuCEuBEEB 实验线路mA?AV三、 V-I特性曲线及结论iCiBECVRBuCEuBEEB 实验线路uCE =0.5VuCE=0ViB(?A)uCE ?1BE(V)0.40.8(一)、输入特性:发射结压降： 硅管UBE?0.6~0.8V,锗管UBE?0.2~0.3V。 死区电压:硅管约0.5V，锗管约0.1V。iC(mA )4100?A380?A260?A40?A120?AIB=0312uCE(V)69uBuE和uCuB ， iC只与iB有关且iC=?iB，称为放大区(二)、输出特性:uCE?0.3V, uBuE和uBuC ，称为饱和区。iB=0,iC=iCEO,uB uE和uBuC，称为截止区。(三)、结论1、三极管工作在三个区域的条件及特点:放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： iC=?iB , 且 ?iC = ? ?iB(2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 ?iBiC，uCE?0.3V C、E间相当于短路(3) 截止区：发射结反偏，集电结反偏， iB=0 ， iC=iCEO ?0 C、E间相当于开路iC(mA)4380?A260?A40?A120?A312uCE(V)IB=0692、电流的放大作用及分配电流分配关系PNNPPNCCBB总的来说:处于放大区时，NPN型、PNP型两种三极管，满足EE思考：处于放大区时，NPN型、PNP型两种三极管的各 电极电位如何？UB、UC、UE小于零UB、UC、UE大于零且-UC - UB-UE且UC UBUE1. 电流放大倍数和 ?四、主要参数前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。共射直流电流放大倍数：工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为?IB，相应的集电极电流变化为?IC，则交流电流放大倍数为：1. 电流放大倍数和 ?四、主要参数前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。共射直流电流放大倍数：工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为?IB，相应的集电极电流变化为?IC，则交流电流放大倍数为：ICBO?A2.集-基极反向饱和电流ICBOICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。ICEO= ? IBE+ICBO ? IBEICBOIBE3. 集-射极反向饱和电流ICEOICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。集电结反偏有ICBOCNBPN根据放大关系，由于IBE的存在，必有电流?IBE。EICBO进入N区，形成IBE。4.集电极最大电流ICM集电极电流IC上升会导致三极管的?值的下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM 。5.集-射极反向击穿电压U(BR)CEO当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25?C、基极开路时的击穿电压。ICICMUCEU(BR)CEO6. 集电极最大允许功耗PCM安全工作区 集电极电流IC 流过三极管， 所发出的焦耳 热为：ICUCE=PCMPC =ICUCE 必定导致结温 上升，所以PC 有限制。PC?PCM? 、 ICEO 、 ICBOICTiCuCE五、温度对ＢＪＴ参数及特性的影响温度上升时，输出特性曲线上移六、常见三极管实物外形§ 2.2 放大电