机电工程系大学教案第3章电力电子技术1-器件.ppt

* 2.2.1 晶闸管及其工作原理 晶闸管的外型及符号 1、晶闸管的结构： 晶闸管 * 式中?1和?2分别是晶体管V1和V2的共基极电流增益；ICBO1和ICBO2分别是V1和V2的共基极漏电流。由以上式可得 ： 晶闸管的双晶体管模型 及其工作原理 a) 双晶体管模型 b) 工作原理 晶闸管导通的原理可用晶体管模型解释，由图得： （1-2） （1-1） （1-3） （1-4） （1-5） 晶闸管 * 阻断状态：IG=0，?1+?2很小。流过晶闸管的漏电流稍大于两个晶体管漏电流之和。 开通状态：注入触发电流使晶体管的发射极电流增大以致?1+?2趋近于1，流过晶闸管的电流IA，将趋近于无穷大，实现饱和导通。IA实际上由于外电路负载的限制，会维持有限值。 在低发射极电流下? 是很小的，而当发射极电流建立起来之后，? 会迅速增大（形成强烈正反馈所致）。 晶闸管 * 承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。 承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。 晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。 要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下 。 晶闸管正常工作时的基本特性总结如下： * 2. 2. 2 晶闸管的基本特性 （1）正向特性 IG=0时，器件两端施加正向电压，只有很小的正向漏电流，为正向阻断状态。 正向电压超过正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通。 随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低。 晶闸管本身的压降很小，在1V左右。 1） 静态特性 晶闸管的伏安特性 IG2IG1IG 晶闸管 正向 导通 雪崩 击穿 O + U A - U A - I A I A I H I G2 I G1 I G = 0 U bo U DSM U DRM U RRM U RSM 反向 关断 * 反向特性类似二极管的反向特性。 反向阻断状态时，只有极小的反相漏电流流过。 当反向电压达到反向击穿电压后，可能导致晶闸管发热损坏。 晶闸管的伏安特性 IG2IG1IG （2）反向特性 正向 导通 雪崩 击穿 O + U A - U A - I A I A I H I G2 I G1 I G = 0 U bo U DSM U DRM U RRM U RSM 反向 关断 * 1) 开通过程 延迟时间td (0.5~1.5?s) 上升时间tr (0.5~3?s) 开通时间tgt以上两者之和： tgt=td+ tr 100% 90% 10% u AK t t O 0 t d t r t rr t gr U RRM I RM i A 2) 关断过程 反向阻断恢复时间trr 正向阻断恢复时间tgr 关断时间tq以上两者之和： tq=trr+tgr 普通晶闸管的关断时间约几百微秒 2） 动态特性 晶闸管的开通和关断过程波形 晶闸管 * 2.2.3 晶闸管的主要参数 断态重复峰值电压UDRM ——在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压。 反向重复峰值电压URRM ——在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向峰值电压。 通态（峰值）电压UT ——晶闸管通以某一规定倍数的额定通态平均电流时的瞬态峰值电压。 通常取晶闸管的UDRM和URRM 中较小的标值作为该器件的额定电压。 选用时，一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压2~3倍。 使用注意： 1）电压定额 晶闸管 * 通态平均电流 IT(AV） ——在环境温度为40?C和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。标称其额定电流的参数。 ——使用时应按有效值相等的原则来选取晶闸管。 维持电流 IH ——使晶闸管维持导通所必需的最小电流。 擎住电流 IL ——晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后， 能维持导通所需的最小电流。对同一晶闸管来说，通常IL约为IH的2~4倍。 浪涌电流ITSM ——指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流 。 2）电流定额 晶闸管 * 除开通时间tgt和关断时间tq外，还有： 断态电压临界上升率 du/dt ——指在额定结温和门极开路的情况下，不导致晶闸管从断态到通态转换的外加电压最大上升率。 ——电压上升率过大，使结电容充电电流足够大，造成晶闸管误导通 。 通态电流临界上升率 di/dt ——指在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。 ——如果电流上升太快，可能造成局部过热而使晶闸管损坏。 3）动态参数 晶闸管 * 2.