物理方式薄膜沉积技术的应用.pptVIP

丝网印刷技术 丝网印刷技术在光电薄膜制作中的应用 ---显示器件 电镀技术 * Sigma = delter * 当机械振动而产生的交变电场频率与交变电压频率达到共振时，振幅最大 直流/射频型溅射（DC/RF diode） 直流/射频型溅射（DC/RF diode） 磁控溅射 (Magnet Sputtering) 通过增加一个与电场方向垂直的磁场，可使等离子体的电子螺旋式运动，增加与气体分子碰撞几率而提高等离子体浓度 等离子体密度可由0.0001%增加至0.03%。 靶材表面的离子和电子运动轨迹 磁控溅射过程 蒸发法和溅射法的比较 ? 蒸镀法 溅射法 靶材的选择 受限制（金属靶材） 几乎不受限（难溶金属，合金，复合材料） 基材加热 低 除磁控法外，需高温 表面损害 低，电子束会产生X-ray损害 离子轰击的损害 合金沉积 可 可 均匀度 难 易 厚度控制 不易控制 易控制 台阶覆盖性能 差 较好 附着性 不佳 佳 缺陷 多 少 溅射法具有强的间隙填充能力 溅射法形成的台阶形貌优于蒸发法，但不如CVD法 改善措施： 衬底加热； 硅片衬底加RF偏压， 圆片被高能电子轰击， 使溅射材料再沉积； 强迫填充溅射； 准直溅射； 在高深宽比的接触孔处，典型的台阶覆盖随时间增加而变化的截面图 强迫填充溅射 施加几个大气压的高压使金属自动坍塌 准直溅射 控制粒子沉积的方向，更好的填充高深宽比的孔，但是减低了沉积速率。 常用的溅射工艺流程 金属薄膜：采用磁控直流溅射 介质薄膜：采用RF溅射 溅射前预清洗工艺：采用RF等离子体，Ar+离子轰击硅片表面，去除自然氧化层 合金材料的溅射： 合金靶材：薄膜组分受控于气相传输 多靶溅射：调节各靶功率来改变沉积层组分 TiN反应离子溅射：在N气氛下进行Ti靶溅射，生成TiN。 真空弧等离子体镀膜技术 真空弧等离子体镀膜技术 ---单离子源 真空弧等离子体镀膜技术 ---多离子源 多腔体沉积系统（Multi Chamber Deposition System） 薄膜厚度的测量 1、原位监控：石英晶振仪 2、台阶仪(Profiler) 3、光学干涉仪 4、光脉冲反射计 石英晶振 石英晶体是离子型晶体，具有压电效应 压电谐振，在晶振上加交变电压（或者电流不断开关），则晶片就产生机械振动。 石英压电谐振效应的固有频率的影响因素：芯片厚度，几何尺寸，切割类型。 石英晶振 n﹕谐波数﹐n=1，3，5，… dQ﹕石英晶体的厚度 c ﹕切变弹性系数 r﹕石英晶体的密度(2.65×103kg/m3) 质量负载效应：在芯片上镀上膜层，芯片厚度 增大，则芯片固有频率减小。 石英晶体膜厚监控仪就是通过测量频率或与频 率有关的参量的变化而测量淀积薄膜的厚度 台阶仪(Stylus Profilometer) 探针直接在样品表面扫描，记录表面微观轮廓信息 物理破坏式测量：接触式，轻拍式 光学干涉仪 膜厚干涉 不同的膜厚对应于不同的颜色 改变衬底的倾斜度，颜色也跟着改变（why） 光脉冲反射计（Spectroreflectometer ） 在不同波长测量反射光强度 通过反射光强度与波长的对应关系确定厚度 光学探测器精度高于人眼，测出的厚度精确程度高。 改善大面积薄膜 均匀性的基本方法 1、高真空环境 2、洁净的衬底表面(加热/离子表面清洁) 3、旋转样品架 4、离子/原子束均匀性提高 Dry Oxidation Si (S) + O2 (V) — SiO2 (S) Wet Oxidation Si (S) + H2 O (V)— SiO2 (S) + H2 (V) 热氧化技术 ---湿氧氧化和干氧氧化 热氧化技术 热氧化炉 优点：结构致密、均匀性和重复性好、与光刻胶黏附好且应力小。 缺点：生长温度高（750～1200℃）、生长速度慢。 热氧化SiO2的优缺点 热氧化技术在微纳技术中的应用 ---氧化锐化 热氧化技术在微纳技术中的应用 ---硅纳米材料的制作 热氧化技术在微纳技术中的应用 ---硅纳米材料的制作 丝网印刷技术 第六章：薄膜制备技术—— 物理沉积方法 Chapter 6: Thin Film Deposition Techniques： Physical Vapor Deposition (PVD) 图形的转换方法 填充法 (Additive) 刻蚀法 (Etching or Subtractive) 填充法 刻蚀法 IC制造中的薄膜 集成电路芯片制造工艺中，在硅片上制作的器件结构层绝大多数都是采用薄膜沉积的方法完成的。