淀积工艺半导体制造技术应用.pptVIP

硅片上外延生长硅 Si Si Cl Cl H H Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Cl H Cl H 化学反应 副产物 淀积的硅 外延层 多晶硅衬底 Figure 11.28 气相外延示意图 掺杂剂 (AsH3 or B2 H3) H2 SiH2 Cl2 RF 感应加热线圈 感应基座 硅片 真空泵 Figure 11.29 硅气相外延炉 排气 排气 排气 RF加热 RF 加热 气体入口 气体入口 卧式反应炉 桶式反应炉 立式反应炉 Figure 11.30 CVD质量测量ILD 中钥匙孔的效果（金属台阶覆盖上） b) 平坦化的SiO2 c) 被淀积的下一层铝 在 SiO2上由钥匙孔引起的金属空洞 a) 由 PECVD淀积的SiO2 SiO2 在层间介质中 的钥匙孔缺陷 铝 Figure 11.31 连续加工的APCVD 反应炉 硅片 膜 反应气体 2 反应气体 1 惰性分隔气体 (a) 气体注入类型 N2 反应气体 加热器 N2 N2 N2 N2 N2 硅片 (b) 通气类型 Figure 11.12 APCVD TEOS-O3改善后的台阶覆盖 Figure 11.3 用TEOS－O3淀积SiO2 TEOS是正硅酸乙脂。分子式为Si(C2H5O4)，是一种液体。臭氧（O3）包含三个氧原子，比氧气有更强的反应活性，因此，这步工艺可以不用等离子体，在低温下（如400℃）进行，因为不需要等离子体，O3就能是TEOS分解，因此反应可以在常压（APCVD,760托）或者亚常压(SACVD，600托)下。淀积的二氧化硅薄膜改善了台阶覆盖轮廓，均匀性好，具有作为绝缘介质优异的电学特性。 优点：对于高的深宽比槽有良好的覆盖填充能力。 缺点：SiO2膜多孔，因而通常需要回流来去掉潮气并增加膜密度。 PSG 回流后平坦化的表面 回流后 PSG 回流前 PSG 金属或多晶硅 Figure 11.14 LPCVD 与APCVD相比，LPCVD系统有更低的成本、更高的产量及更好的膜性能，因此应用更为广泛。为了获得低压，必须在中等真空度下阿（约0.1～5托），反应温度一般在300～900℃，常规的氧化炉设备就可以应用。 LPCVD的反应室通常是反应速度限制的。在这种低压条件下，反应气体的质量传输不再限制反应的速度。 不同于APCVD的是，LPCVD反应中的边界层由于低压的缘故，距离硅片表面更远（见下图）。边界层的分子密度低，使得进入的气体分子很容易通过这一层扩散，是硅片表面接触足够的反应气体分子。一般来说，LPCVD具有优良的台阶覆盖能力。 硅片表面的边界层 连续气流 淀积膜 硅衬底 边界层 反应物扩散 Figure 11.15 LPCVD Reaction Chamber for Deposition of Oxides, Nitrides, or Polysilicon 三温区加热部件 钉式热电偶 (外部，控制) 压力表 抽气至真空泵 气体入口 热电偶 (内部) Figure 11.16 用 TEOS LPCVD 淀积氧化硅 压力控制器 三温区加热器 加热器 TEOS N2 O2 真空泵 气流控制器 LPCVD 炉 温度控制器 计算机终端 工作接口 炉温控制器 尾气 Figure 11.17 Key Reasons for the Use of Doped Polysilicon in the Gate Structure 1. 通过掺杂可得到特定的电阻； 2. 和二氧化硅优良的界面特性； 3. 和后续高温工艺的兼容性； 4. 比金属电极（如AI）更高的可靠性； 5. 在陡峭的结构上淀积的均匀性； 6. 实现栅的自对准工艺。 Doped Polysilicon as a Gate electrode p+ p+ p+ n+ n+ n+ Figure 11.18 等离子体辅助CVD CVD 过程中使用等离子体的好处 1. 更低的工艺温度 (250 – 450℃)； 2. 对高的深宽比间隙有好的填充能力 (用高密度等离子体)； 3. 淀积的膜对硅片有优良的黏附能力； 4. 高的淀积速率； 5. 少的针孔和空洞，因为有高的膜密度； 6. 工艺温度低，因而应用范围广。 在等离子体辅助 CVD 中膜的形成 PECVD 反应室 连续膜 8) 副产物 去除 1) 反应物进 入反应室 衬底 2) 电场使反 应物分解 3) 薄膜初始 物形成 4) 初始物吸附 5) 初始物扩散到衬底中 6) 表面反应 7) 副产物的解