《半导体物理-》-公开课件.pptVIP

半导体物理 Semiconductor Physics 在硅和锗的价带中，起作用的能带是极值相重合的两个能带，与这两个能带相对应有轻空穴有效质量(mp)l和重空穴有效质量(mp)h。因此，价带顶附近状态密度应为这两个能带的状态密度之和。 半导体物理 Semiconductor Physics 相加之后，价带顶附近gv(E)仍可由 表示，不过其中的有效质量mp*为 mdp称为价带顶空穴的状态密度有效质量。 半导体物理 Semiconductor Physics 将(mp)l，(mp)h代入上式算得： 对硅， mdp =0.59m0; 对锗， mdp ＝0.37 m0 半导体物理 Semiconductor Physics 试推导硅锗导带底附近状态密度公式 参考推导过程 根据课本22页，有 或者 半导体物理 Semiconductor Physics 椭球的半轴分别为 半导体物理 Semiconductor Physics 椭球的体积为： 即 = 半导体物理 Semiconductor Physics 椭球内包含的量子态数 Z = 体积X密度 = = 半导体物理 Semiconductor Physics 考虑到对称性，共有s个对称椭球 Z = 半导体物理 Semiconductor Physics 求导， 半导体物理 Semiconductor Physics 由于硅锗等半导体等能面是旋转椭球面 半导体物理 Semiconductor Physics 半导体物理 Semiconductor Physics 令 则 推完收工 半导体物理 Semiconductor Physics 半导体物理 Semiconductor Physics 费米分布函数 半导体物理 Semiconductor Physics 半导体中电子的数目是非常多的。在一定温度下，半导体中的大量电子不停地作无规则热运动，电子既可以从晶格热振动获得能量，从低能量的量子态跃迁到高能量的量子态，也可以从高能量的量子态跃选定以低能量的量子态，将多余的能量释放出来成为晶格热振动的能量。 半导体物理 Semiconductor Physics 从一个电子来看，它所具有的能量时大时小，经常变化。 从大量电子的整体来看，在热平衡状态下，电子按能量大小具有一定的统计分布规律性，即这时电子在不同能量的量子态上统计分布几率是一定的。 半导体物理 Semiconductor Physics 根据量子统计理论，服从泡利不相容原理的电子遵循费米统计律。对于能量为E的一个量子态被一个电子占据的几率f(E)为 半导体物理 Semiconductor Physics EF称为费米能级或费米能量，它和温度、半导体材料的导电类型、杂质的含量以及能量零点的选取有关。 EF是一个很重要的物理参数，只要知道了EF的数值，在一定温度下，电子在各量态上的统计分布就完全确定。 半导体物理 Semiconductor Physics 费米能级可以由半导体中能带内所有量子态中被电子占据的量子态数应等于电子总数N这一条件来决定，即 半导体物理 Semiconductor Physics 将半导体中大量电子的集体看作一个热力学系统，费米能级EF是系统的化学势，即 μ代表系统的化学势，F是系统的自由能。上式的意义是：当系 统处于热平衡状态，也不对外界作功的情况下，系统中增加一个电子所引起系统自由能的变化，等于系统的化学势，也就是等于系统的费米能级。而处于热平衡状态的系统有统一的化学势，所以处于热平衡状态的电子系统有统一的费米能级。 半导体物理 Semiconductor Physics 当T= 0 K时：若E EF，则f(E) = 1；若E EF，则f(E) = 0； 可见在绝对零度时能量比EF小的量子态被电子占据的几率是百分之百，因而这些量子态上都是有电子的;而能量比EF 大的量子态，被电子占据率是零，因而这些量子态上都没有电子，是空的。故在绝对零度时，费米能级EF可看成量子态是否被电