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Outline1、基本结构与工作原理2、线性区I-V特性3、饱和区I-V特性4、截止区I-V特性5、亚阈值区I-V特性 一、基本结构和工作原理1.基本结构有源区场区场区MOSFET结构示意图结构说明：是四端器件，氧化物栅的金属电极是栅极。通常把源和漏下方称为场区，而把栅极下区域称为有源区。器件的基本参数是沟道长度L（两个PN+结之间的距离），沟道宽度Z，氧化层厚度x0，结深xj，以及衬底掺杂浓度Na等。2.工作原理以源极作为电压的参考点。当漏极加上正电压VD，而栅极未加电压时，从源极到漏极相当于两个背靠背的PN结。从源到漏的电流只不过是反向漏电流。当栅极加上足够大的正电压VG时，中间的MOS结构发生反型，在两个N+区之间的P型半导体形成一个表面反型层（即导电沟道）。于是源和漏之间被能通过大电流的N型表面沟道连接在一起。这个沟道的电导可以用改变栅电压来调制。背面接触(称为下栅)，可以接参考电压或负电压，这个电压也会影响沟道电导。线性区：沟道作用相当于一个电阻反型层宽度减小到零，沟道夹断导电沟道两端电压不变，忽略沟道长度调制效应电流保持不变，进入饱和工作状态二、MOSFET的I-V特性 分析I-V特性的主要假设：1. 忽略源区和漏区体电阻和电极接触电阻。2. 沟道内掺杂均匀。3. 载流子在反型层内的迁移率为常数。4. 长沟道近似和渐近沟道近以，即假设垂直电场和水平电场是互相独立的。5.