存储器及io扩展.pptxVIP

存储器系统基本知识 1.? 只读存储器（ROM） （1） 掩模工艺ROM （2）可一次性编程ROM（PROM） （3）紫外线擦除可改写ROM（EPROM） （4）电擦除可改写ROM（EEPROM或E2PROM） （5）快擦写ROM（flash ROM）;随机存储器RAM（也叫读写存储器） （1） 双极型RAM　 （2） 金属氧化物（MOS）RAM ?静态RAM（SRAM） ?动态RAM（DRAM） ?集成RAM（i RAM） ?非易失性RAM（NVRAM） ;8.1存储器（EPROM）的扩展 ; 图8.1为单片机扩展成三总线的结构图。扩展芯片与主机相连的方法同一般三总线结构的微处理机完全一样。;一、程序存储器扩展（2764） 以2764作为单片机程序存储器扩展的典型芯片为例进行说明 1． 2764的引线 2764是一块8K×8bit的EPROM芯片，其管脚图如图8.2所示 ·A12～A0??13位地址信号输入线，说明芯片的容量为8K＝213个单元。 ·D7～D0 ??8位数据，表明芯片的每个存贮单元存放一个字节（8位二进制数）。 · /CE为选片信号。当它有效低电平时，能选中该芯片。 ·/OE为输出允许信号。当它为低电平时，芯片中的数据可由D7～D0输出。 ;图8.2 EPROM2764管脚图 图8.2 SRAM6264管脚图 ;2．系统扩展一片EPROM的实例。 图8.3 单片ROM扩展连线图 ;3. 2764的连接使用; 存储器地址分析 由于P2.7、P2.6、P2.5任意。从000到111共有8种组合，其2764芯片的地址范围是： 最低地址：0000H(A15A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0 ) × × × 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 00 最 高 地 址： 1FFFH (A15A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A 0 × × × 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 （000H~1FFFH）;二、数据存储器的扩展（6264） 单片机与数据存储器的连接方法和程序存储器连接方法大致相同，简述如下： ? 1. 地址线的连接，与程序存储器连法相同; ? 2. 数据线的连接，与程序存储器连法相同; ? 3 .控制线的连接，主要有下列控制信号： 存储器输出信号和单片机读信号相连即和P3.7相连; 存储器写信号　和单片机写信号相连即和P3.6相连。 使用时应注意，访问内部或外部数据存储器时，应分别使用MOV及MOVX指令。 外部数据存储器通常设置二个数据区： ; （1） 低8位地址线寻址的外部数据区。此区域寻址空间为256个字节。CPU可以使用下列读写指令来访问此存贮区。 读存储器数据指令：MOVX　　A　，＠Rｉ 写存储器数据指令：MOVX　　＠Rｉ，A 　　由于8位寻址指令占字节少，程序运行速度快，所以经常采用。 （2）16位地址线寻址的外部数据区。当外部RAM容量较大，要访问RAM地址空间大于256个字节时，则要采用如下16位寻址指令。 读存储器数据指令：MOVX　　A　，＠DPTR 写存储器数据指令：MOVX　　＠DPTR　，A 由于DPTR为16位的地址指针，故可寻址64KRAM字节单元;1. 数据存储器扩展使用的典型芯片 数据存储器扩展常使用随机存储器芯片，用的较多的是Intel公 司的6116容量为2KB和6264容量为8KB。 下面以6264芯片为例进行说明，该芯片的主要引脚为： ·A12～A0 ??13根地址线，说明芯片