09章iivi族化合物半导体汇总.pptxVIP

第九章 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 ? Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，指元素周期表中Ⅱ族元素（Zn、Cd、Hg）和??族元素（S、Se、Te、O）组成的化合物半导体。 ? 与Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料比较Ⅱ-Ⅵ族化合物有以下一些特点： (1)Ⅱ族元素和Ⅵ族元素在周期表中的位置相距比Ⅲ族和Ⅴ族的大，故Ⅱ-Ⅵ族的负电性差值大，其离子键成分比Ⅲ-Ⅴ族化合物大。 (2)禁带宽度变化范围大，具有直接跃迁的能带结构等优点。因此在固体发光、激光、红外、压电效应等器件方面都有着广泛的应用。 ;(3)Ⅱ-Ⅵ族化合物熔点较高，在熔点下具有一定的气压，而且组成化合物的单质蒸汽压也较高。 制备Ⅱ-Ⅵ族化合物的完整单晶体比较困难；除CdTe可以生成两种导电类型的晶体外，其它均为单一的导电类型，而且多数为N型，很难用掺杂方法获得P型材料。这是由于Ⅱ-Ⅵ族化合物晶体内点缺陷密度大，易发生补偿效应。 这类材料除少数外，很难制成P-N结。这限制了Ⅱ-Ⅵ族化合物材料在生产方面和应用方面不如Ⅲ-Ⅴ族化合物材料普遍。;? Ⅱ-Ⅵ族化合物的能带结构都是直接跃迁型，且在Г点（k=0）的能带间隙（禁带宽度）比周期表中同一系列中的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体和元素半导体的Eg大。 如: ZnSe的Eg =2.7eV、GaAs的Eg=1.43eV、Ge的Eg=0.67eV。 Ⅱ-Ⅵ族化合物随着原子序数的增加，Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的禁带宽度逐渐变小。 ; (e)ZnSe能带； (J)CdTe能带：;;9-1 II—VI族化合物单晶材料的制备 1．II—VI族化合物单晶制备 II—VI族化合物单晶生长方法有很多种。其个最主要的有：高压熔融法、升华法、移动加热法等几种。 (1)高压熔融法（垂直布里奇曼法） II-VI族化合物在熔点其蒸气压和解离度较大，且在远低于它们的熔点时，就分解为挥发性组元，因此晶体只能在高压力下从熔体生长。;垂直布里奇曼炉;（2）升华法;能否象制备III-V族化合物晶体那样采用B2O3液态密封法制备II-VI族化合物晶体呢?;2. II—VI族化合物的外延生长 III-V族化合物外延生长方法，几乎都可用来生长II—VI族化合物薄膜。 LPE法生长II—VI族化合物薄膜是制作发光管工艺中较成熟的方法。 生长设备一般采用倾斜或水平滑动舟 等。 溶剂：Te用的最多，此外还有Bi 、Zn、Se、Sn、Zn-Ga、 Zn-Ga-In等元素或合金。;(2) MOVPE法 用MOVPE法制备的ZnSe薄膜在纯度和晶体完整性上均优于普通的气相外延法。 MOVPE法的生长速率高、生长温度低，是常用的方法。;（3）HWE法（热壁外延法） Hot wall epitaxy 法是一种气相外延技术。 优点：设备简单、造价低、节省原材料等，广泛应用在II-VI族和IV－VI族化合物薄膜材料的生长。 特点：热壁的作用使得外延生长 在与源温度接近的情况下进行。 如：生长CdS薄膜，衬底温度为 450℃，源温比衬底温度高25 ℃， 外延层含较低的杂质和缺陷。;外延层的生长速率R随沉积温度变化为;9-2Ⅱ-Ⅵ族化合物的点缺陷与自补偿现象 1、两性半导体 ?Ⅱ-Ⅵ族化合物晶体比Ⅲ-Ⅴ族化合物晶体容易产生缺陷。 Ⅱ-Ⅵ族化合物晶体中的点缺陷会造成其组成化学计量比的偏离，引起导电类型发生变化。 MX表示Ⅱ-Ⅵ族化合物，在MX中的点缺陷主要有(1）空位VM、VX，（2）间隙原子Mi、Xi，（3）反结构缺陷MX、XM，（4）以及外来杂质F等。 点缺陷在一定条件下会发生电离，放出电子或空穴呈现施主或受主性质。;;?对离子性强的化合物半导体（如II-VI族化合物CdTe等），一般认为有下列规律：“正电性强的原子空位VM起受主作用，负电性强的原子空位Vx起施主作用”。 化合物MX，认为是由M+2和X-2组成的晶体。形成Vx时，相当于在晶体X格点上拿走一个电中性的X原子。Vx处留下两个电子；空位Vx处的这两个电子与其周围带正电的M+2作用，使其电荷正好抵消，Vx处保持电中性。;两个电子不是填充在原子（或离子）的满电子壳层上，容易被激发而成为自由电子，变为导带中的电子，因而负离子空位Vx起施主作用。 当Vx给出一个电子后，本身便带正电荷以Vx+表示。当给出两个电子后，本身便带二个正电荷，用Vx+2表示。;正离子空位VM的产生是从M+2格点处拿走一个电中性的M原子，VM处留下二个空穴（二个正电荷+e）。 空穴可激发到价带成为自由空穴，故VM起受主作用。VM也是电中性的，给出一个空穴后带负电；给出二个空穴后成为VM-2。 根据质量作用定律得：两种空位浓度之乘积[Vx]?[VM]在一定温度下是一个常数（肖特基常数），增大其中的一者，必定减少另一者。 ;当改变与晶体接触的气体的蒸气时，即可改变晶体中空位的浓度。 增加X2的分