电沉积制备氧化亚铜.pptVIP

;电沉积法 电沉积是电流通过电解液中的流动而产生化学反应，最终在阴极上电解沉积某一物质的过程。由于在电极表面附近的溶液中积累了很高的能量密度，电沉积法可以用来制备许多氧化物纳米结构薄膜。 目前制备Cu2O薄膜的方法有很多种，电化学自组装法由于其灵活，简单而受到人们的重视。与其它制备方法相比电化学沉积法的主要优点 是： 1）沉积速率高； 2）材料生长温度低，可以在常温常压下操作； 3）适合在复杂的衬底生长材料； 4）可以通过改变电化学参数获得不同厚度、不同光电性质的薄膜 5）设备简单、容易操作、成本低、环境友好； 6）适合于大规模工业生产。;（1）酸性条件下： 2Cu2++2e-+H2O→Cu2O+2H+ Cu2++2e-→Cu （2）碱性条件下： Cu2++e-→Cu+ 2Cu++2OH-→Cu2O+H2O Cu2++2e-→Cu; 一个基本的晶体形状有两种生长过程:习性生长和支晶生长。晶体的习性取决于晶体不同晶面的表面能量的大小顺序。在垂直于表面能量最高的晶面的方向生长最快，这会使晶体的能量降低。而支晶生长则取决于扩散效应，当晶体生长时，晶面附近的离子或分子会被消耗光并在晶体周围形成一个同心圆扩散区域。而在高浓度的区域会更为为突出形成多面体晶体，它的生长速度比晶面中心更快，因此形成支晶生长;图1显示了八面体CU2O使用恒流或恒压沉积时时在不同的温度（40℃、50℃、60℃、70℃）下氧化亚铜晶体的生长图像。当使用恒压沉积时（E=0.09V）随着温度的升高，支晶逐渐突出，而在恒流下（I=0.1mAcm-2)随着温度的升高支晶则逐渐减弱。CU2+浓度（0.005，0.01，0.02，0.04m）也具有同样的趋势。;Figure 2;Figure 3;Figure 4;Figure 5; 经由添加物的复杂生长过程来构建的异质CU2O晶体学形态的电子扫描显微镜图像。a~c首先在能够稳定八面体习性的媒介上沉积三分钟支晶（1列），接着在稳定立方习性的新的媒介上进行填充过程，时间分别如各图上所示（列2~5)。d~f首先在能够稳定立方体习性媒介上沉积12分钟支晶（1列）接着在稳定八面体习性的新的媒介上进行填充过程，时间分别如各图上所示（列2~5)。晶体的(100)面 (a, d), (111) 面 (b, e), (110)，以及面(c, f)平行于衬底（大小为1um）。 生长条件：恒定温度（60℃），恒定的CU2+浓度(0.02m)，恒流沉积（I=0.1 mAcm-2和0.3 mAcm-2。 结论：我们可以通过添加SDS以及控制沉积时间来构建异质CU2O晶体。;实验装置;装置：利用常规的三电极装置在0.005–0.04m Cu(NO3)2水溶液中进行氧化亚铜阴极沉积(2Cu2++H2O+2e→Cu2O+2H+) 对电极：通过溅射镀膜方法在清洁的玻璃面上先后镀上一层 100埃的钛膜和500埃的铂膜 工作电极：ITO（R=15±5 Ωcm-2 参考电极：KCl溶液中的Ag/AgCl 电解液：稳定八面体结构Cu(NO3)2 (0.02m) 和5 wt%SDS作为改性剂（在加SDS之前ph=4.9）稳定CU2O晶体的{111}面(如图1和3）；稳定立方结构是不包含SDS的Cu(NO3)2 (0.02m)(ph=4.9)如图5a~c;生长截八面体的结构是Cu(NO3)2 (0.02m) 和5 wt% SDS（再加入SDS之前ph=4.3） 沉积条件：面生长为E≤0.07 V 和 I≥0.15 mAcm-2 ，T=60 ℃.支晶生长为0.07 V≦E≤0.14 V和0.04 mAcm-2≤I≤0.15 mAcm-2 组成检验：粉末X射线衍射;谢谢！