2015第11课第8章半导体探测器.pptVIP

Drift velocity vs. electric field for holes and electrons in Silicon. 10 2 10 3 10 4 10 5 10 7 10 6 10 5 10 4 Electric field (V m-1) Electron Hole Drift velocity (m sec-1) (3) 响应时间 影响探测器的响应时间的因素有三个： 耗尽层中光生载流子的渡越时间 耗尽层外光生载流子的扩散时间 光电探测器及有关电路的寄生电容引起的RC时间常数。 耗尽层中载流子的渡越时间为： W和vd分别为耗尽层厚度和载流子的漂移速度。 td在决定探测器的响应速度中起主导作用。例如光电二极管中，耗尽层厚10?m，电场强度约2?104V/cm时，电子和空穴的极限速度分别可达8.6?106cm/s和4.4?106cm/s。因此，响应时间的极限为0.1ns. 扩散过程比漂移过程慢许多。 为了获得高的量子效率，耗尽层的宽度必须比穿透深度（即吸收系数的倒数1/?）大得多，以便吸收大部分光线。 A large di reduces the RC time constant of the device by reducing Ci,