微机原理与接口技术3.pptxVIP

第三章 内存储器;本章学习目标;存储器层次结构;3.1 半导体存储器;3.1.1 ROM;3.1.1 ROM;3.可擦可编程ROM（EPROM） 紫外线照射整体擦去，专用编程器写入信息。 写入：D、S加25V，瞬间击穿，电子进入FG，设为“0”， 未写的仍为“1”，无电子，VT不变 读出：D、S加5V，FG无电子，VT＝VT1，G上电压使FAMOS 导通，输出“1”；FG有电子，VT＝VT0，G上电压不能 使FAMOS导通，输出“0”。 擦去：用紫外线通过窗口照射，电子被激发成为光电流泄 漏， 都无电子，恢复为全“1”状态 ;3.1.1 ROM;3.1.1 ROM;4.EEPROM （1）EEPROM芯???的应用特性 电可擦可编程ROM（EEPROM） 字节写入、同时擦除，内部集成了擦除和编程电路. 非易失性，读写与RAM类似，但写入时先擦除，时间稍长。 2817：2K×8b，28脚DIP，地址线A10－A0，数据线I/O7-I/O0， 片选， 输出允许， 写允许， RDY/ 准备好/忙，Vcc，GND，3个引脚NC 2816: 2K×8b，24脚DIP，与2817基本相同。2817有擦写完毕信号端RDY/ ，在擦写操作期间RDY/ 为低电平，全部擦写完毕时，RDY/ 为高电平。 ;3.1.1 ROM;