多晶硅还原炉电气指导上.pptVIP

培训内容：一、我厂多晶硅还原生产工艺简介二、还原炉结构及其附属设备三、打压装置组成及控制过程四、还原加热组成及控制过程五、上位机操作方法六、故障判断及处理处理七、还原电气控制实现方式八、控制柜调功柜接线及故障查找方法 一、还原系统工艺流程简介:PDF（物料加热、多晶硅还原、热能利用、冷却系统）1、三氯氢硅与氢还原反应原理CL3HSI+H2=3HCL+SI (1000--1100℃)2、反应沉淀过程（硅棒长粗原理）必须保持温度，就要不断的加大电流二、还原炉结构炉体、底盘、炉体有夹层，通以冷却水，底盘有均匀分布的进气孔12个，中心有出气孔，盘面装有48根电极，底盘下装有电极冷却水管，电气接线板、 1、还原炉底盘 电极 进气孔 2、底盘冷却水管 3、底盘电气接线 4、炉体冷却水管 炉体冷却水进水管 视镜冷却水管 法兰冷却水管 5、炉内硅芯布置 24对棒炉内硅芯布置示意图 6、炉内硅芯结构 24对π型硅芯排布如图所示：6组硅芯分别对应还原变压器A、B、C三相，其关系如下： A1：4对棒、A2：4对棒； B1：4对棒、B2：4对棒； C1：4对棒、C2：4对棒。 每根π型硅芯高度2.5m,横梁长度 0.23m，每对π型硅芯最长为5.23 炉内硅芯结构 7、多晶硅系统构成 一体化多晶硅电源系统构成示意图 三、打压装置原理及控制 （一）系统组成部分： 1、启动电源柜2台 2、打压控制柜1台 3、打压功率柜4台 4、打压切换柜1台 5、联络柜 一、启动电源柜 二、打压控制柜 三、打压变及启动功率柜 四、切换柜 五、联络柜 3、高压启动装置原理 概述 高压启动电源将单相交流电源(AC220V)通过交流调压器后升压成12KV高压，并在升压变压器的一次侧加晶闸管单相交流调压装置，系统工作于稳流模式，以使硅芯的温度能够满足后续的工艺要求 3、高压启动装置原理 高压启动电源将单相交流电源(AC220V)升压成12KV~1.6KV高压，并在升压变压器的一次侧三档晶闸管单相交流调压，系统工作于稳流模式，以使硅芯的温度能够满足后续的工艺要求。 启动电源分档 电压如下： 档号 变压器二次侧电压 二次侧最大电流 1 12KV(10KV) 20A 2 3.5KV 60A 3 1.6KV 100A 四、还原加热装置原理及控制 （一）系统组成部分： 1、还原变压器1台*9套 2、还原控制柜1台*9套 3、还原调功柜6台*9套 4、隔离切换柜6台*9套 5、直流屏柜1台 6、蓄电池柜1台 7、控制电源分配柜1台 8、UPS电源柜1台 1、还原变高压柜 及变压器 高压开关柜 还原变压器 四、还原变压器出线 A相 B相 C相 还原隔离柜 进母线至变压器 出母线到还原炉 控制柜 调功柜 R型单相电源变压器 K分合闸继电器25只KA1合控制电源KA2复位KA3故障输出KA4封锁控制板KA5急停KA6高压开关合（AC）KA7高压故障（AC)KA11 1#K分合闸KA21 2#K分合闸KA16 A1相控制板使能KA26 A2相控制板使能KA76 脉冲板使能 Q分合闸接触器（3NO)串联15只 R型同步变压器 SP1 +24VSP3 +24VSP5 +24VSP2 +15V-15VSP4 +15V-15VSP6 +15V-15V 通讯转换器 SP5 SP3 SP1 Y型连接器 OLM 一、控制柜 R型单相电源变压器 K分合闸继电器25只KA1合控制电源KA2复位KA3故障输出KA4封锁控制板KA5急停KA6高压开关合（AC）KA7高压故障（AC)KA11 1#K分合闸KA21 2#K分合闸KA16 A1相控制板使能KA26 A2相控制板使能KA76 脉冲板使能 Q分合闸接触器（3NO)串联15只 R型同步变压器 SP1 +24VSP3 +24VSP5 +24VSP2 +15V-15VSP4 +15V-15VSP6 +15V-15V 通讯转换器 SP5 SP3 SP1 Y型连接器 OLM 一、控制柜 二、控制柜背后 SP2 SP4 SP6 电压电流采集板 主控板 DSP控制板 触发脉冲 至5个触发脉冲板 通讯 复位 封锁脉冲 使能 +5V +15V-15V 电流检测 同步信号 电压检测 4、直流屏 真有效值计算板 +15V-15V 电压检测 电流检测 电流检测 电压输出 到DSP控制板 2、调功柜结构 5档控制 1档电流1000A 限流2800A 2档电流800A 限流2100A 3档电流400A 限流1500A 4档电流200A 限流700A