半导体具有热敏特性.ppt

特点一：半导体具有热敏特性 常见一些半导体材料加热后导电性能变好（称为“负电阻特性），利用这个特性，可制成半导体器件。如：热敏电阻。 特点二：半导体具有光敏特性 常见一些半导体材料随光强增大电阻变小，利用这个特性，可制成半导体器件。如：光敏电阻、光电三极管、光电二极管。 特点三：半导体具有杂敏特性 纯净半导体掺杂后导电性能变好，利用这个特性，可制成半导体器件。如：半导体二极管、三极管等。 1.14左下图，二极管均为理想元件，则VD1、VD2、 VD3的工作状态为 [ ]。 A. VD1导通， VD2 、 VD3截止 B. VD2导通， VD1 、 VD3截止 C. VD3导通， VD1 、 VD2截止 D. VD1， VD2 、 VD3均导通  1.14左下图，二极管均为理想元件，则VD1、VD2、 VD3的工作状态为 [ A ]。 A. VD1导通， VD2 、 VD3截止 B. VD2导通， VD1 、 VD3截止 C. VD3导通， VD1 、 VD2截止 D. VD1， VD2 、 VD3均导通  三极管工作情况总结(记录) IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 特点:UCE特小（UCE?0.3V） 域中UCE?UBE Jc、Je均正偏?IB≠IC 失去放大能力称为饱和区 3.饱和区 输出特性三个区域的特点: 放大区：发射结正偏（Je＞0,即UBE=UB-UE＞0）， 集电结反偏（Jc＜0,即UBC=UB-UC＜0）， 有： IC=?IB , 且 ?IC = ? ? IB (2) 饱和区： UCE特小（UCE?0.3V） （饱和压降UCES?0.3V) 发射结正偏（Je＞0 ）， 集电结正偏（Jc＞0 ）。 即：UCE?UBE ， IC ≠ ?IB (3) 截止区：两结均反偏（Je＜0 ； Jc＜0 ）， UBE 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO ?0 是可靠截止。 课堂练习：1-13 三极管处于放大状态时，三个极上的电位关系： 电流关系： √记忆：输出特性 图 1.3.9　NPN 三极管的输出特性曲线 IC / mA UCE /V 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μA IB = 0 O 5 10 15 4 3 2 1 　　划分三个区：截止区、放大区和饱和区。 截止区 放 大 区 饱和区 放 大 区 　1. 截止区：两结均反偏 IB = 0，IC很小 截止区 截止区 2. 饱和区：两结均正偏UCE特小： UCE?饱和压降UCES?0.3V 3. 放大区： 条件：发射结正偏 　　　集电结反偏 例题:若测得放大电路中某三极管三个电极对地的电压分别为：U1=-6.2V；U2=-6V；U3=-9V。试判断管子的电极、类型、材料。 分析：放大区 BE结正偏，BC结反偏。 NPN管有:UC＞UB＞UE; PNP管有：UC＜UB＜UE 结论:|UC|＞|UB|＞|UE| （2）解答:|-9|＞|-6.2|＞|-6|，PNP类型、Ge管。 C B E √记录:根据电极的电位高低判断管子（处于放大区）管脚电极、类型、材料的一般方法: 1.把电位差别最大的两个管脚除外，余者为b极； 2.与b极差别小的是e极； 3.b极电位高于e的是NPN管； 4.b极电位低于e的是PNP管； 5. UBE=0.7V的是Si管； 6.UBE=0.2V的是Ge管。 习题:1-13; 1-15 练习：测量三极管三个电极对地电位如图 所示，试判断三极管的工作状态。 三极管工作状态判断 放大 截止 饱和 正常放大原则: 发射结Je0 集电结Jc0 1.3.4　三极管的主要参数 三极管的连接方式 IC IE + C2 + C1 VEE Re VCC Rc (b)共基极接法 VCC Rb + VBB C1 T IC IB C2 Rc + (a)共发射极接法 图 1.3.10　NPN 三极管的电流放大关系 一、电流放大系数