半导体物理复习要点答案.docxVIP

一、填充题 1.?两种不同半导体接触后, 费米能级较高的半导体界面一侧带?正 电达到热平衡后两者的费米能级 相等 。 2.?半导体硅的价带极大值位于?k?空间第一布里渊区的中央，其导带极小值位于 【100】 方向上距布里渊区边界约?0.85?倍处，因此属于?间接带隙 半导体。 3. 晶体中缺陷一般可分为三类：点缺陷，如 空位 间隙原子 ；?线缺陷，如 位错 ；面缺陷，如层错和晶粒间界。 4. 间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为 弗仓克耳缺陷 ；形成原子空位而无间隙原子的点缺陷称为 肖特基缺陷 。 5． 浅能级 杂质可显著改变载流子浓度； 深能级 杂质可显著改变非平衡载流子的寿命，是有效的复合中心。 6.?硅在砷化镓中既能取代镓而表现为 施主能级 ，又能取代 砷而表现为 受主能级 ，这种性质称为杂质的双性行 为。 7．对于?ZnO?半导体，在真空中进行脱氧处理， 可产生 氧空位 ，?从而可获得 n?型 ZnO?半导体材料。 8．在一定温度下，与费米能级持平的量子态上的电子占据概率为 1/2 ，高于费米能级?2kT?能级处的占据概率为 1/1+exp(2) 。 9．本征半导体的电阻率随温度增加而 单调下降 ，杂质半导 体的电阻率随温度增加，先下降然后 上升至最高点 ，再单调下降。 10．n?型半导体的费米能级在极低温（0K）时位于导带底和施主能级之间 中 央 处，随温度升高，费米能级先